2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(ポスター講演)

14.半導体B(探索的材料・物性・デバイス) » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB2-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年9月19日(金) 13:30 〜 15:30 PB2 (第2体育館)

ポスター掲示時間13:30~15:30(PB2会場)

13:30 〜 15:30

[19p-PB2-18] 90 GHz帯におけるInGaAs/InAlAs HEMTの入出力特性

渡邊一世1,遠藤聡1,2,笠松章史1,三村高志1,2 (情報通信研究機構1,富士通研2)

キーワード:高電子移動度トランジスタ,InGaAs,入出力特性