2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB2-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年9月19日(金) 13:30 〜 15:30 PB2 (第2体育館)

ポスター掲示時間13:30～15:30(PB2会場)

13:30 〜 15:30

[19p-PB2-18] 90 GHz帯におけるInGaAs/InAlAs HEMTの入出力特性

○渡邊一世1，遠藤聡1,2，笠松章史1，三村高志1,2 (情報通信研究機構1，富士通研2)

キーワード：高電子移動度トランジスタ,InGaAs,入出力特性