[19p-PB2-1~19] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB2-9] n 型GaN へのMg イオン注入によるpn 接合の形成

^○（M1）西城祐亮，及川拓弥，加藤茂樹，三島友義，中村徹 (法政大理工)

キーワード：GaN