[19p-PB7-1~6] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19p-PB7-5] X線侵入長を制御した斜入射トポグラフィーによるAlイオン注入SiC基板の歪状態の観察

^○高橋由美子¹，平野馨一¹，吉村順一¹，長町信治²，古室昌徳¹，志村孝巧³ (KEK-PF¹，長町サイエンスラボ²，阪大院工³)

キーワード：topography,放射光,SiC