[20a-A10-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20a-A10-7] 超微細抵抗変化メモリにおけるリセット過程のパルススイッチング特性

^○森山拓洋¹，高相圭¹，小石遼介¹，木村康平¹，越江祐介¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

キーワード：ReRAM,リセット,AFM