2014年第75回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-C5-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年9月20日(土) 08:30 〜 12:00 C5 (オープンホール)

11:15 〜 11:30

△ [20a-C5-10] (001)Si基板上半極性面InGaN光共振器の誘導放出特性

○久志本真希1，本田善央1，天野浩1,2 (名大院工1，赤崎研究センター2)

キーワード：InGaN,半極性,誘導放出