[20a-C5-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-C5-12] InGaN量子井戸構造における非輻射再結合寿命と内部量子効率の励起エネルギー密度依存性

^○室谷英彰¹，杉浦藤虎¹，山田陽一²，本田善央³，天野浩³ (豊田高専¹，山口大院理工²，名大院工³)

キーワード：InGaN量子井戸構造,内部量子効率,非輻射再結合寿命