09:30 〜 11:30
[20a-PA3-4] 低誘電率SiCN電荷捕獲層の正孔捕獲特性
キーワード：SiCN,電荷捕獲,不揮発性メモリデバイス
講演情報
一般セッション(ポスター講演)
13．半導体A（シリコン） » 13.2 絶縁膜技術
[20a-PA3-1~7] 13.2 絶縁膜技術
2014年9月20日(土) 09:30 〜 11:30 PA3 (第1体育館)
ポスター掲示時間9:30～11:30(PA3会場)
一般セッション(ポスター講演)
13．半導体A（シリコン） » 13.2 絶縁膜技術
2014年9月20日(土) 09:30 〜 11:30 PA3 (第1体育館)
ポスター掲示時間9:30～11:30(PA3会場)
09:30 〜 11:30
キーワード：SiCN,電荷捕獲,不揮発性メモリデバイス