1.InP Epitaxial Grouth: ・Light Receiving Device（Photdiode、Solar Cell） ・Light Emitting Device（LED、End-face emitting lazer /EEL、Surface emitting lazer/SEL） ・Electoronic Device（HBT,HEMT) ２． InP Photodiode ・Lattice match type (InGaAs) :Absorotion edge 1.7um ,Size Φ100um～Φ3mm ・Distortion Type (InGaAs) : Absorotion edge<2.6um,Size Φ100um～Φ3mm ・4 Element type(InGaAsP): Absorotion edge 1.45um Size Φ100um～Φ3mm ３. InP Multichannel　Photodiode ・1 dimensional array　2x64 2x128 ・2 dimensional array 64x64, 128x128