[17a-E13-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年3月17日(月) 09:00 〜 12:00 E13 (E301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[17a-E13-1] InGaN微小LEDアレイの作製と電気・発光特性の評価

^○土山和晃¹，関口寛人¹，田原浩行¹，岡田浩²，若原昭浩¹ (豊技大工¹，EIIRIS²)

09:15 〜 09:30

[17a-E13-2] サブ波長回折格子形状のLED偏光特性に対する影響

^○清水亮¹，高島祐介¹，直井美貴^1,2 (徳島大ATS¹，徳島大STS²)

09:30 〜 09:45

[17a-E13-3] プラズモン効果を目指した薄膜p層を有するInGaN系LEDの作製

^○塚田哲朗¹，山根啓輔¹，岡田成仁¹，只友一行¹，立石和隆²，岡本晃一² (山口大院理工¹，九大先導研²)

09:45 〜 10:00

△ [17a-E13-4] p型GaN上のAg電極を用いた高反射電極の検討

^○（M1）河合俊介¹，飯田大輔¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名大赤﨑記念研究センター²)

10:00 〜 10:15

△ [17a-E13-5] 電子オーバーフロー直接観測を用いた青色LED電子ブロック層の検討

^○林健人¹，松井健城¹，安田俊輝¹，勝野翔太¹，竹内哲也¹，上山智¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,2 (名城大¹，名大赤﨑リサーチセンター²)

10:15 〜 10:30

△ [17a-E13-6] 分極制御による紫外発光素子のホール注入の検討

^○安田俊輝¹，林健人¹，竹田健一郎¹，中嶋翼¹，竹内哲也¹，岩谷素顕¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2，天野浩^2,3 (名城大理工¹，名古屋大赤﨑記念研究センター²，名古屋大院工³)

休憩 10:30〜10:45 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

△ [17a-E13-7] Ⅲ族窒化物半導体トンネル接合上の高効率LED

森田隆敏¹，^○井野匡貴¹，桑野侑香¹，渡邉雅大¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大・理工¹，名古屋大赤﨑記念研究センター²)

11:00 〜 11:15

△ [17a-E13-8] III族窒化物半導体埋込みトンネル接合による電流狭窄構造

^○桑野侑香¹，堀川航佑¹，森田隆敏¹，井野匡貴¹，竹内哲也¹，上山智¹，岩谷素顕¹，赤﨑勇^1,2 (名城大・理工¹，名古屋大・赤﨑記念研究センター²)

11:15 〜 11:30

[17a-E13-9] フラクタル構造付きサファイア基板によるLEDの光取り出し効率の改善

^○大紘太郎，梶田圭一，沈凌峰，梶田康仁，篠塚啓 (王子ホールディングス)

11:30 〜 11:45

△ [17a-E13-10] GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性

^○（B）石原耕史¹，近藤保成¹，松原大幸¹，飯田大輔¹，山本泰司¹，曽和美保子¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名大赤﨑記念研究センター²)

11:45 〜 12:00

△ [17a-E13-11] MOVPE成長－c面InGaN/GaN多重量子井戸構造における準安定相混在の抑制

^○正直花奈子¹，崔正焄^1,2，岩渕拓也¹，宇佐美徳隆³，谷川智之^1,2，窪谷茂幸¹，花田貴^1,2，片山竜二^1,2，松岡隆志^1,2 (東北大金研¹，JST, CREST²，名大院工³)