09:50 〜 09:52

[17a-E2-1] カーボン蒸着によるグラフェンの作製とNi結晶面の成長評価

^○宇木権一¹，加藤幹大¹，小室修二²，趙新為¹ (東理大理¹，東洋大理工²)

09:52 〜 09:54

[17a-E2-2] 銅を触媒に用いた有機物塗付によるグラフェンの作製

^○西村未来，加藤幹大，宇木権一，趙新為 (東理大)

09:54 〜 09:56

[17a-E2-3] 塗布を用いたグラフェン作製III

^○加藤幹大，西村未来，宇木権一，趙新為 (東理大理)

09:56 〜 09:58

[17a-E2-4] アルコールCVD直接成長グラフェン膜のNiを用いたポストアニール処理

^○（B）山田憲史¹，中村篤志²，天明二郎² (静大工¹，静大院工²)

09:58 〜 10:00

△ [17a-E2-5] 反応性ガスを用いない転写レスグラフェン合成

^○生田昂，金井康，大野恭秀，井上恒一，松本和彦 (阪大産研)

10:00 〜 10:02

[17a-E2-6] 陽極酸化アルミナ基板上への周期変調グラフェン作製に関する研究

^○松尾経太¹，久保田弘¹，松川誠也¹，今村友紀¹，伊﨑貴生²，西口博樹²，吉岡昌雄²，蓮尾俊治³ (熊大院自然科学¹，熊大工²，九州三井アルミニウム³)

10:02 〜 10:04

[17a-E2-7] Cu基板上に塗布製膜した固体前駆体からの通電加熱グラフェン製膜

^○馬場智矢¹，斉木幸一朗²，上野啓司¹ (埼玉大院理工¹，東大院新領域²)

10:04 〜 10:06

[17a-E2-8] Co触媒を用いた絶縁基板上グラフェン形成

^○水野正也，伴野和也，久保俊晴，三好実人，江川孝志，曾我哲夫 (名工大)

10:06 〜 10:08

[17a-E2-9] パルスアークプラズマ蒸着によるSiO₂/Si(111)基板上グラフェン層の形成Ⅲ

^○伴野和也，水野正也，久保俊晴，三好実人，江川孝志，曽我哲夫 (名工大)

10:08 〜 10:10

[17a-E2-10] 層状物質ドーピングによる高導電グラフェン透明薄膜作製(2)

^○竹内彩¹，後藤拓也²，上野啓司¹ (埼玉大院理工¹，三菱ガス化学²)

10:10 〜 10:12

[17a-E2-11] コールドウォールCVD法によるPt触媒からの単層カーボンナノチューブ成長

^○澤木祐哉 (名城大院)

10:12 〜 10:14

▲ [17a-E2-12] Low defect graphene films on nickel and copper substrate at low temperature using camphor by MW-SWP-CVD

^○MS Kayastha¹, Hare Ram Aryal¹, Sudip Adhikari¹, Hideo Uchida¹, Koichi Wakita¹, Masayoshi Umeno¹ (Chubu University)

10:14 〜 10:16

△ [17a-E2-13] ガラス基板上での位置制御されたグラフェン直接合成

^○石橋祐輔，越田啓介，金井康，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦 (阪大産研)

10:16 〜 10:18

△ [17a-E2-14] 同位体ヘテロ接合グラフェンの合成と接合界面の特性

^○安野裕貴，竹井邦晴，秋田成司，有江隆之 (大阪府大院工)

10:18 〜 10:20

[17a-E2-15] 超臨界流体剥離法によるグラフェンの高速合成

^○岡伸人，笘居高明，本間格 (東北大)

10:20 〜 10:22

[17a-E2-16] a-C層を挿入したNi触媒を用いた多層グラフェンのアルコールCVD

^○鈴木学，鬼頭祐典，早川直邦，成塚重弥，丸山隆浩 (名城大理工)

10:22 〜 10:24

[17a-E2-17] 変調SiO2基板上へのグラフェン成膜と特性評価に関する研究

^○今村友紀¹，松尾経太¹，松川誠也¹，吉岡昌雄²，久保田弘^1,2 (熊大院自¹，熊大工²)

10:24 〜 10:26

[17a-E2-18] グラフェン・ナノリボンのボトムアップ成長における金属表面ステップの影響についての第一原理解析

^○金子智昭^1,2，田島暢夫^1,2，大野隆央^1,2,3 (物材機構¹，ＭＡＲＣＥＥＤ²，東大生産研³)

10:26 〜 10:28

[17a-E2-19] グラフェン電気化学剥離における塩電解質濃度の影響

^○沖本治哉¹，黒沼寛紀²，佐野正人¹ (山大院理工¹，山大工²)

10:28 〜 10:30

[17a-E2-20] Carbon atom reactions in CVD graphene growth on copper surfaces: A first principles

^oNobuo Tajima^1,2, Tomoaki Kaneko^1,2, Jun Nara^1,2, Takahisa Ohno^1,2,3 (NIMS¹，MARCEED²，Univ. of Tokyo³)

10:30 〜 10:32

[17a-E2-21] アルコールガスソース法におけるPt触媒からの単層カーボンナノチューブ成長メカニズムの検討

^○近藤弘基¹，GhoshRanajit^1,2，成塚重弥¹，丸山隆浩¹ (名城大理工¹，CSIR-CMERI²)

10:32 〜 10:34

[17a-E2-22] メタンを炭素源に用いたPt触媒からの単層カーボンナノチューブ成長

^○河合赳，成塚重弥，丸山隆浩 (名城大理工)

10:34 〜 10:36

[17a-E2-23] マイクロ波プラズマ化学気相成長法により合成したカーボンナノウォール初期堆積層の微細構造評価

^○武永康平，岸直希，杉田遼，曽我哲夫 (名工大)

10:36 〜 10:38

[17a-E2-24] 層状半導体MoSe₂，MoTe₂を用いた電界効果トランジスタの作製と評価

^○田端祐輔，上野啓司 (埼玉大院理工)

10:38 〜 10:40

[17a-E2-25] カーボンナノコイルの成長速度の活性化エネルギー

^○郷原丈弘，竹井邦晴，有江隆之，秋田成司 (大阪府大工)

10:40 〜 10:42

[17a-E2-26] 鉄微粉末を使用したカーボンナノコイルの高純度合成および不純物の低減

^○清水慶明¹，丸山皓司¹，飯田哲生¹，須田善行¹，田上英人¹，滝川浩史¹，植仁志²，清水一樹³，梅田良人⁴ (豊橋技科大¹，東海カーボン²，湘南合成樹脂製作所³，東邦ガス⁴)

10:42 〜 10:44

[17a-E2-27] 新規触媒前駆体として液体供給源を用いたCNT成長の開発(Ⅱ)

臼田祐希¹，菊地貴裕¹，佐藤仁²，中西太宇人²，加藤隆²，冨田恭一²，三村秀典³，^○中野貴之¹，井上翼¹ (静大院¹，JNC²，静大電研³)

10:44 〜 10:46

△ [17a-E2-28] スパッタリング堆積によるNi触媒微粒子の密度制御

^○（B）楠本雄司¹，小路紘史¹，関家一樹¹，古田寛^1,2，八田章光^1,2 (高知工科大¹，高知工科大ナノテク研²)

10:46 〜 10:48

[17a-E2-29] 鉄内包カーボンナノチューブ成長における下地層の影響

^○久保中伸雄，佐藤英樹，濱口真，藤原裕司 (三重大院工)

10:48 〜 10:50

[17a-E2-30] 固液界面接触分解法による3C-SiC薄膜の合成

小野晴喜¹，太田拓²，米津翔太¹，安藤寿浩³，^○蒲生西谷美香¹ (東洋大理工¹，東洋大院工²，物材機構³)

10:50 〜 10:52

[17a-E2-31] 真空紫外光による酸化グラフェンのマイクロ還元パターニング

^○（M1）屠宇迪¹，OmPrakashKhatri²，一井崇¹，杉村博之¹ (京大院工¹，Indian Institute of Petroleum²)

10:52 〜 10:54

△ [17a-E2-32] 分光エリプソメトリーによる酸化グラフェン霧化塗布過程のその場計測

^○船田修司，日當大我，石川良，上野啓司，白井肇 (埼玉大)

10:54 〜 10:56

△ [17a-E2-33] 窒素プラズマによるグラファイト中C-N結合の生成

^○片渕真也¹，原民夫¹，吉村雅満¹，浜垣学²，原安寛³，橋本雄一⁴ (豊田工大¹，理研²，関西大³，大同大⁴)

10:56 〜 10:58

[17a-E2-34] 超臨界水ナノカッティングによるエッジ制御グラフェン作製の高効率化

^○田村直貴，笘居高明，本間格 (東北大多元研)

10:58 〜 11:00

[17a-E2-35] カーボンナノウォールの衝撃圧縮法による透明グラファイトの合成

^○嘉藤恭平¹，中村和貴¹，阿藤敏行²，庭瀬敬右³，中村一隆²，橘勝¹ (横浜市立大¹，東工大²，兵庫教育大³)

11:00 〜 11:02

[17a-E2-36] グラフェンの化学反応性における成長基板の影響

^○（B）井上凌介¹，宮田耕充^1,2，真庭豊¹ (首都大理工¹，JSTさきがけ²)

11:02 〜 11:04

[17a-E2-37] PEDOT:PSS/カーボンナノチューブ複合薄膜の走査型電子顕微鏡を用いた評価

^○岸直希¹，岩月大吉¹，斎藤毅²，曽我哲夫¹ (名工大¹，産総研²)

11:04 〜 11:06

[17a-E2-38] カイラリティ分離されたDNA修飾カーボンナノチューブの薄膜トランジスタ

^○桑原有紀^1,2，二瓶史行^2,3，大森滋和²，斎藤毅^1,2 (産総研¹，TASC²，NEC³)

11:06 〜 11:08

[17a-E2-39] (5,4)型SWCNTの単一構造分離と光物性

^○魏小均¹，伊藤靖浩¹，平川琢也¹，平野篤¹，藤井俊治郎¹，田中丈士¹，宮内雄平^2,3，松田一成²，片浦弘道¹ (産総研ナノシス¹，京大エネルギー理工研²，PRESTO, JST³)

11:08 〜 11:10

△ [17a-E2-40] 単層カーボンナノチューブを用いた通信波長帯域での単一光子生成

^○遠藤匠，早瀬潤子，牧英之 (慶大理工)

11:10 〜 11:12

[17a-E2-41] 半径方向ひずみ負荷によるカーボンナノチューブの状態密度変化

^○（DC）大西正人，鈴木研，三浦英生 (東北大院工)

11:12 〜 11:14

[17a-E2-42] カーボンナノチューブ片持ち梁の振動特性への電子線照射効果に関する分子動力学解析

^○多田和広¹，種田涼佑¹，安田雅昭² (富山高専¹，阪府大院工²)

11:14 〜 11:16

▲ [17a-E2-43] Temperature dependence of electric resistivity in nanocrystalline graphene deposited by metal-free plasma enhanced chemical vapor deposition method

^○Marek Schmidt¹, Manoharan Muruganathan¹, Harold Chong², Hiroshi Mizuta^1,2 (北陸先端大¹，サザンプトン大²)

11:16 〜 11:18

[17a-E2-44] 酸化グラフェン塗布膜の光電気化学的特性

^○野見山輝明，鍵山明典，堀江雄二 (鹿児島大院)

11:18 〜 11:20

[17a-E2-45] 4H-SiC(0001)エピタキシャルグラフェンのキャリア緩和過程におけるバッファ層の役割

^○重政英史，久津間保徳，大谷昇，金子忠昭，玉井尚登 (関学大理工)

11:20 〜 11:22

[17a-E2-46] CVD転写グラフェン面型FET受光素子の光電流と電極金属依存性

^○小勝負信建，土居芳行，山田貴，都甲浩芳 (NTT)

11:22 〜 11:24

[17a-E2-47] シリセン／ゲルマネン／グラフェンナノリボンFETのバリスティック性能評価

^○兼古志郎¹，長谷川直実¹，土屋英昭^1,3，鎌倉良成^2,3，森伸也^2,3，小川真人¹ (神戸大工¹，大阪大工²，JST CREST³)

11:24 〜 11:26

[17a-E2-48] カーボンナノチューブ電極を用いた次世代リチウム硫黄二次電池

^○野末竜弘，福田義朗，塚原尚希，村上裕彦 (アルバック)

11:26 〜 11:28

[17a-E2-49] カーボンナノチューブ複合紙による人工物メトリクス認証の高度化(2)

^○（M1）秋場誠，大矢剛嗣 (横国大院工)

11:28 〜 11:30

[17a-E2-50] カーボンナノチューブ複合紙を用いた新電磁波シールド構造と評価(2)

^○（M1）李搏决，大矢剛嗣 (横国大院工)

11:30 〜 11:32

[17a-E2-51] カーボンナノチューブ複合紙と複合色素による色素増感太陽電池の開発

^○井口広大，杉山誠一，大矢剛嗣 (横国大院)

11:32 〜 11:34

[17a-E2-52] カーボン配線実現に向けたナノチューブの評価と低抵抗化

^○高橋慎，中野美尚，周波，井亜希子，近藤大雄，八木克典，原田直樹，佐藤信太郎，横山直樹 (産総研)

11:34 〜 11:36

△ [17a-E2-53] グラフェンチャネルFETを用いたミリ波帯フォトミキシング

^○菅原健太¹，江藤隆紀¹，川崎鉄哉¹，MasturaHussin¹，若生洋由希¹，末光哲也¹，尾辻泰一¹，吾郷浩樹²，河原憲治²，深田陽一³，可児淳一³，寺田純³，吉本直人³ (東北大通研¹，九大先導研²，ＮＴＴＡＳ研³)

11:36 〜 11:38

△ [17a-E2-54] 基板表面状態がグラフェンセンサ感度に与える影響

^○中村仁俊，金井康，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦 (阪大産研)

11:38 〜 11:40

△ [17a-E2-55] カーボンナノチューブ薄膜トランジスタにおける特性の長さ依存性

^○桑原有紀^1,2，二瓶史行^2,3，大森滋和²，斎藤毅^1,2 (産総研¹，TASC²，NEC³)

11:40 〜 11:42

[17a-E2-56] ピコピペットを用いたSi細線スロット導波路へのCNT埋め込みの検討

^○福田晃士¹，山田佐代子¹，高島正⁴，水野潤²，桑江博之¹，松島裕一³，宇髙勝之¹ (早大¹，ナノ理工学研究機構²，GCS機構³，吉田機械興業⁴)