一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[17p-E11-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2014年3月17日(月) 13:30 〜 17:30 E11 (E205)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 11:45〜13:30 (11:45 〜 13:30)

13:30 〜 13:45

△ [17p-E11-1] 成長抑制現象を用いたInAs/GaAs量子ドットの形成とその光学特性評価

^○（D）權晋寛¹，角田雅弘²，渡邉克之¹，太田泰友²，岩本敏^1,2，荒川泰彦^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²)

13:45 〜 14:00

[17p-E11-2] 単層InAs量子ドットの準位密度分布評価

^○星井拓也，岡田至崇 (東大先端研)

14:00 〜 14:15

[17p-E11-3] 面内超高密度InAs量子ドット層における長い蛍光寿命特性

^○内田俊介，塩川美雪，山口浩一 (電通大先進理工)

14:15 〜 14:30

[17p-E11-4] 自己形成GaAs ナノホールを用いた近接積層InAs 量子ドットの発光特性

^○山下博幸，高橋佑太，山口浩一 (電通大先進理工)

14:30 〜 14:45

[17p-E11-5] 近接積層InAs/GaAs量子ドットのサブスレッショルド偏光利得特性

^○安達貴哉，諏訪雅也，松村拓哉，大橋知幸，喜多隆 (神戸大院工)

14:45 〜 15:00

[17p-E11-6] InAs/Al_xGa_1-xAs量子ドットにおけるキャリアの熱活性特性

^○朝日重雄，寺西陽之，笠松直史，加田智之，海津利行，喜多隆 (神戸大工)

15:00 〜 15:15

[17p-E11-7] 窒素δドープGaAs(001)層上のInAs量子ドット自己形成

^○海津利行^1,2，田口航平²，喜多隆² (神戸大研究基盤セ¹，神戸大工²)

15:15 〜 15:30

▼ [17p-E11-8] Formation of InAs quantum dots on InP(111)A by droplet epitaxy and their optical emission at 1.3μm and 1.55μm

^○Neul Ha^1,2，劉祥明¹，間野高明¹，黒田隆^1,2，三石和貴¹，野田武司¹，佐久間芳樹¹，迫田和彰¹ (物材機構¹，九大²)

休憩 15:30〜15:45 (15:30 〜 15:45)

15:45 〜 16:00

[17p-E11-9] 陽極酸化InP基板へのInAsドットのMBE成長

^○横堀邦幸，岩崎太平，森下義隆 (農工大工)

16:00 〜 16:15

[17p-E11-10] 多波長InAs量子ドットを用いたOCT光源用SLDの作製

^○（M1）保田拓磨¹，柴田弘¹，尾崎信彦¹，大河内俊介²，池田直樹³，大里啓孝³，渡辺英一郎³，杉本喜正³，RichardHogg⁴ (和歌山大シス工¹，NEC²，物材機構³，シェフィールド大⁴)

16:15 〜 16:30

[17p-E11-11] InAs量子ドットSLDを用いたOCT画像取得

^○（M1）柴田弘¹，保田拓磨¹，尾崎信彦¹，大河内俊介²，池田直樹³，大里啓孝³，渡辺英一郎³，杉本喜正³，RichardHogg⁴ (和歌山大シス工¹，NEC²，物材機構³，シェフィールド大⁴)

16:30 〜 16:45

▲ [17p-E11-12] MOCVD法によるGe/Si上InAs/GaAs量子ドットの発光特性におけるAlGaAs/GaAsバッファ層のアニール効果

^○（PC）Rajesh Mohan¹，三浦真^2,3，西岡政雄¹，荒川泰彦¹ (東大ナノ量子機構¹，PETRA²，PECST³)

16:45 〜 17:00

[17p-E11-13] GaAs中のエピタキシャル二次元窒素膜の電子状態

^○原田幸弘，馬場健，喜多隆 (神戸大院工)

17:00 〜 17:15

△ [17p-E11-14] 希薄窒化物GaAsN混晶の成長における表面窒化の有効性

^○浦上法之¹，関口寛人¹，岡田浩^2,1，若原昭浩¹ (豊橋技科大工¹，EIIRIS²)

17:15 〜 17:30

[17p-E11-15] 結晶成長方法がGaAsN薄膜中の窒素原子に起因する局在電子準位の構造に与える影響

^○（D）丁文¹，森岡剛志¹，藤田尚紀¹，鈴木章生¹，鈴木秀俊¹，福山敦彦¹，山口真史²，碇哲雄¹ (宮崎大¹，豊田工大²)