一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-E13-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年3月17日(月) 13:00 〜 18:00 E13 (E301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 12:00〜13:00 (12:00 〜 13:00)

13:00 〜 13:15

▲ [17p-E13-1] Phase separation of MOVPE-grown thick (〜1 µm) In_xGa_1-xN (x〜0.3)(I): Simultaneous emergence of metallic In-Ga and GaN-rich InGaN

^○Md.tanvir Hasan^1,2，三原章宏^1,2，成田憲彦³，重川直輝⁴，山本暠勇^1,2 (福井大院工¹，JST-CREST²，関西電力³，大阪市大院工⁴)

13:15 〜 13:30

▲ [17p-E13-2] Phase separation of MOVPE-grown thick (〜1 µm) In_xGa_1-xN(x〜0.3)(II): Suppression of the phase separation

^○Md.tanvir Hasan^1,2，三原章宏^1,2，成田憲彦³，重川直輝⁴，山本暠勇^1,2 (福井大院工¹，JST-CREST²，関西電力³，大阪市大院工⁴)

13:30 〜 13:45

[17p-E13-3] III-V族窒化物薄膜太陽電池の歪を考慮した計算解析

^○角谷正友¹，LiwenSang¹，長谷川文夫²，中野由崇² (物材機構¹，中部大²)

13:45 〜 14:00

△ [17p-E13-4] 蛍光顕微鏡と2次イオン質量分析を用いたGaInN薄膜の不均一評価

^○豊満直樹¹，LiwenSang²，山口智広¹，本田徹¹，角谷正友² (工学院大工¹，物材機構²)

14:00 〜 14:15

[17p-E13-5] 分光エリプソメトリによるSMART太陽電池MOVPEプロセス開拓

^○草部一秀^1,2,3，王科^1,2,3，橋本直樹^1,2,3，吉川明彦^1,2,3,4 (千葉大C-SGIR¹，千葉大VBL²，千葉大JST-ALCA:SMART Solar Cell PJ³，工学院大⁴)

14:15 〜 14:30

▲ [17p-E13-6] RF-MBE成長SMART太陽電池の接合特性改善

^○王科^1,2,3，草部一秀^1,2,3，橋本直樹^1,2,3，吉川明彦^1,2,3,4 (千葉大C-SGIR¹，千葉大VBL²，千葉大JST-ALCA:SMART Solar Cell PJ³，工学院大⁴)

休憩 14:30〜14:45 (14:30 〜 14:45)

14:45 〜 15:00

△ [17p-E13-7] 窒化物半導体HFET型UV光センサーの火炎センサー応用

^○（B）山本雄磨¹，村瀬卓弥¹，石黒真未¹，山田知明¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名大赤﨑記念研究センター²)

15:00 〜 15:15

[17p-E13-8] 規則配列ナノコラム発光デバイスの放射ビーム特性-(I)

^○栁原藍¹，石沢峻介¹，岸野克巳^1,2 (上智理工¹，上智ナノテク研究センター²)

15:15 〜 15:30

[17p-E13-9] 規則配列ナノコラム発光デバイスの放射ビーム特性―(II)

^○（PC）石沢峻介¹，柳原藍¹，澄川雄樹¹，岸野克巳^1,2 (上智大理工¹，上智大ナノテク²)

15:30 〜 15:45

[17p-E13-10] Si基板上窒化物ナノコラムの発光特性

^○福島大史¹，林宏暁¹，工藤利文¹，岸野克巳^1,2 (上智大¹，上智大ナノテク研究センタ²)

15:45 〜 16:00

[17p-E13-11] 六角形状GaNマイクロディスクからの波長～390nm光励起発振における光学利得の検証

^○光野徹也¹，酒井優²，岸野克巳³，原和彦¹ (静岡大工¹，山梨大院医工²，上智大理工³)

16:00 〜 16:15

[17p-E13-12] ナノテンプレートによる規則配列AlGaNナノコラムの選択成長

^○山野晃司¹，岸野克巳^1,2，関口寛人³，若原昭浩³ (上智大理工¹，上智大ナノテク研究センター²，豊橋技大工³)

休憩 16:15〜16:30 (16:15 〜 16:30)

16:30 〜 16:45

[17p-E13-13] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるGaNナノ構造の作製

^○（B）蜂屋諒，菊池昭彦，蜂屋太樹，喜多諒 (上智大)

16:45 〜 17:00

[17p-E13-14] ナノコラム細線化に向けたパターン基板と成長条件の検討

^○水野祐太郎^1,2，井川雄介^1,2，浅見康太^1,2，加納達也^1,2，岸野克巳^1,2 (上智大理工¹，上智大ナノテク²)

17:00 〜 17:15

△ [17p-E13-15] MOCVD選択成長による高品質InGaNナノワイヤ量子ドットの形成

^○チェギヒョン¹，有田宗貴¹，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生研²)

17:15 〜 17:30

[17p-E13-16] MOCVDによるGaN/Al_xGa_1-xN(x < 0.25)界面ゆらぎ量子ドットの形成

^○有田宗貴¹，壹岐太一²，加古敏²，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生産研²)

17:30 〜 17:45

[17p-E13-17] GaN/AlGaN界面ゆらぎ量子ドットの単一ドット分光～最小PL発光線幅(110 μeV)の観測～

^○有田宗貴¹，壹岐太一²，加古敏²，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生産研²)

17:45 〜 18:00

▲ [17p-E13-18] Polarization Properties of Single Zinc-Blende GaN/AlN Quantum Dots

^○SylvainSergent¹，加古敏²，MatthiasBuerger³，ThorstenSchupp³，DonatAs³，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生産研²，Paderborn Univ.³)