一般セッション(口頭講演)

12．有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.4 有機EL・トランジスタ

[17p-E3-1~17] 12.4 有機EL・トランジスタ

2014年3月17日(月) 13:15 〜 18:00 E3 (E103)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

△ [17p-E3-1] ナフトジチオフェンジイミド（NDTI）の有機半導体材料への応用

^○中野正浩¹，福富雄太²，尾坂格¹，瀧宮和男^1,2 (理研¹，広大院工²)

13:30 〜 13:45

△ [17p-E3-2] 高半導体純度の単層カーボンナノチューブ複合体を用いた高性能塗布型TFT

^○清水浩二¹，田中丈士^2,3，片浦弘道^2,3，山本真衣子¹，村瀬清一郎¹ (東レ¹，産総研ナノシス²，TASC³)

13:45 〜 14:00

△ [17p-E3-3] プラスチック基板上に作製した印刷型高分子TFTの曲げ応力耐性

^○関根智仁，福田憲二郎，熊木大介，時任静士 (山形大ROEL)

14:00 〜 14:15

△ [17p-E3-4] 閾値電圧制御された有機トランジスタから成る擬似CMOS回路

^○木村由斉¹，北村雅季^1,2，荒川泰彦^2,3 (神戸大院工¹，東大ナノ量子機構²，東大生研³)

14:15 〜 14:30

△ [17p-E3-5] 印刷型有機インバータ回路の短チャネル化による高速動作

^○（M1）吉村悠大^1,2，竹田泰典^1,2，関根智仁^1,2，福田憲二郎^1,2，熊木大介^1,2，時任静士^1,2 (山形大院理工¹，山形大ROEL²)

14:30 〜 14:45

△ [17p-E3-6] インクジェット法で作製した銀電極を用いた全印刷型有機フリップフロップ回路

^○竹田泰典^1,2，BinAdibFaizAdiEzarudin³，福田憲二郎^1,2，熊木大介^1,2，時任静士^1,2 (山形大院理工¹，山形大ROEL²，サトーテクノロジ³)

休憩 14:45〜15:00 (14:45 〜 15:00)

15:00 〜 15:15

△ [17p-E3-7] 正弦波入力によるペンタセン有機薄膜トランジスタの周波数依存性評価

^○（B）渡辺和宏，土屋大岳，野田啓，梶井清，粟野祐二 (慶大理工)

15:15 〜 15:30

△ [17p-E3-8] 延長ゲート型有機トランジスタを用いたバイオセンサの検討

^○（M2）南木創^1,2，栗田僚二³，脇田慎一³，福田憲二郎^1,2，熊木大介^1,2，丹羽修³，時任静士^1,2 (山形大院理工¹，山形大ROEL²，産総研³)

15:30 〜 15:45

△ [17p-E3-9] 有機ショットキーダイオードを用いた静電気保護回路

^○横田知之^1,2，寺川雄貴^1,2，雪田和歌子^1,2，小泉真理^1,2，更田裕司^1,2，吉岡和顕^1,2，関野正樹^1,2，高宮真^1,2，桜井貴康^1,2，関谷毅^1,2，染谷隆夫^1,2 (東大工¹，JST ERATO²)

15:45 〜 16:00

△ [17p-E3-10] 三端子容量-電圧測定によるペンタセン電界効果トランジスタの劣化過程の観測Ⅱ

^○山本紘平¹，田中有弥¹，野口裕^1,2，石井久夫^1,2 (千葉大院融合¹，千葉大先進²)

16:00 〜 16:15

[17p-E3-11] 銅ナノ粒子インクをSD電極に用いた有機TFTの特性

^○乗田翔平¹，小林悠²，宇津野裕弥²，佐藤翼²，福田憲二郎^2,3，熊木大介^2,3，時任静士^2,3 (山形大工¹，山形大院理工²，山形大ROEL³)

16:15 〜 16:30

[17p-E3-12] グラビアオフセット印刷銀電極を用いた微細有機TFTの作製

^○木村豪¹，福田憲二郎^2,3，熊木大介^2,3，時任静士^2,3 (山形大工¹，山形大院理工²，山形大ROEL³)

休憩 16:30〜16:45 (16:30 〜 16:45)

16:45 〜 17:00

[17p-E3-13] くし型電極を有するボトムコンタクト型OFETのペンタセン膜厚依存性

^○おんでぃふぁどり¹，石原宏¹，大見俊一郎¹，今井和雄²，籔本周邦³，佐藤芳之³ (東工大総理工¹，TMEC²，分析工房³)

17:00 〜 17:15

[17p-E3-14] 単一トップゲート型OFET素子における接触抵抗・チャネルパラメータの分離抽出

^○高垣俊介¹，野田啓²，山田啓文¹ (京大院工¹，慶應大理工²)

17:15 〜 17:30

[17p-E3-15] 非ハロゲン溶媒を用いた高性能トップゲート型C₈-BTBT FET

^○（B）中道諒介¹，木村友¹，永瀬隆^1,2，小林隆史^1,2，瀧宮和男^3,4，濱田雅裕⁵，内藤裕義^1,2 (大阪府大¹，大阪府大分子エレクトロニックデバイス研²，広島大³，理研⁴，日本化薬⁵)

17:30 〜 17:45

[17p-E3-16] C₁₀DNTTトランジスタにおける接触抵抗の経時的減少と性能改善

^○植村隆文^1,2,3，CedricRolin³，PavloFesenko³，KeTungHuei³，KrisMyny³，SoerenSteudel³，JanGenoe³，PaulHeremans³，瀧宮和男^4,5，竹谷純一^1,2 (東大新領域¹，阪大産研²，imec³，理研⁴，広大院工⁵)

17:45 〜 18:00

[17p-E3-17] 表面処理電極を有するボトムコンタクト型アルキルDNTTトランジスタ

^○北村雅季^1,2，木村由斉¹，荒川泰彦^2,3 (神戸大院工¹，東大ナノ量子機構²，東大生研³)