一般セッション(口頭講演)

08．プラズマエレクトロニクス » 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[17p-F1-1~16] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

2014年3月17日(月) 14:00 〜 18:15 F1 (F201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

14:00 〜 14:15

[17p-F1-1] Al添加ZnO膜の軸外しRFマグネトロンスパッタ成膜

^○松田良信，横山宏信，中島崇迫，小山田俊介，篠原正典 (長崎大院工)

14:15 〜 14:30

[17p-F1-2] ハイブリッド対向スパッタで作製したITO透明導電膜

^○諸橋信一，高木史博，荒川峻也，原田直幸，村田卓也 (山口大院)

14:30 〜 14:45

[17p-F1-3] 表面波プラズマ支援RFスパッタにおける絶縁性ターゲットの表面電位評価

^○萩原敏哉¹，野田智紀¹，豊田浩孝^1,2 (名大¹，名大プラズマナノ工学センター²)

14:45 〜 15:00

[17p-F1-4] 高品質半導体薄膜作製のためのプラズマ支援反応性スパッタリングプロセスの高度制御

節原裕一¹，^○竹中弘祐¹，大崎創一郎¹，陶山悠太郎¹，大谷浩史¹，金井厚毅¹，江部明憲² (阪大接合研¹，イー・エム・ディー²)

15:00 〜 15:15

[17p-F1-5] パルスRFスパッタリング法による抵抗変化材料薄膜の作製

^○塚本真大¹，山田昌樹¹，酒井道¹，中村敏浩² (京大工¹，大阪電気通信大工²)

15:15 〜 15:30

[17p-F1-6] 大気圧プラズマを用いて成膜されたヒドラジンによる抵抗変化薄膜の還元処理

^○山田昌樹¹，酒井道¹，中村敏浩² (京大工¹，大阪電気通信大工²)

15:30 〜 15:45

△ [17p-F1-7] 大気圧プラズマ化学気相堆積法による超撥水薄膜の形成

^○（M2）孫昿達，竹田圭吾，石川健治，近藤博基，関根誠，堀勝 (名大院工)

15:45 〜 16:00

△ [17p-F1-8] グライディングアークプラズマを用いた包装用樹脂フィルム表面の高速処理

^○内田裕也¹，林尚弥¹，田上英人¹，須田善行¹，滝川浩史¹，山本五男² (豊橋技科大¹，大三紙業²)

休憩 16:00〜16:15 (16:00 〜 16:15)

16:15 〜 16:30

△ [17p-F1-9] 三角形状に波形変調した誘導熱プラズマを用いたダイヤモンド膜生成および照射ラジカル量の変調波形依存性

^○堀田宗佑，春多洋佑，福澤未夢，田中康規，上杉喜彦，石島達夫 (金沢大院電情)

16:30 〜 16:45

△ [17p-F1-10] TMS蒸気の電子衝突断面積の推定

^○（M1）川口悟，佐藤孝紀，伊藤秀範 (室蘭工大)

16:45 〜 17:00

▼ [17p-F1-11] 水素原子源付きプラズマCVDで作製した炭素薄膜の堆積速度:圧力と電極間距離への依存性

^○董ショウ，古閑一憲，山下大輔，徐鉉雄，板垣奈穂，白谷正治 (九大)

17:00 〜 17:15

[17p-F1-12] シランプラズマ中のクラスター量に対する振幅変調放電の効果

^○都甲将，橋本優史，金光善徳，鳥越祥宏，徐鉉雄，鎌滝晋礼，板垣奈穂，古閑一憲，白谷正治 (九大)

17:15 〜 17:30

[17p-F1-13] SiH₄/H₂系プラズマ中の非発光H原子の重要性

^○片山博貴，吉田功，矢田茂郎，寺川朗 (パナソニック)

17:30 〜 17:45

[17p-F1-14] 中性粒子ビームにおけるRFバイアス印加状態のモニタリングと加速機構解明2

^○榊原康明¹，菊地良幸^1,2，寒川誠二² (東京エレクトロン¹，東北大²)

17:45 〜 18:00

[17p-F1-15] 原子層堆積を目的としたグラフェンのプラズマ修飾

^○北嶋武，中野俊樹 (防大電気)

18:00 〜 18:15

[17p-F1-16] 窒素中性粒子ビームによるSi表面の窒化

^○（PC）原安寛，清水智弘，新宮原正三 (関西大)