[18a-E12-1~10] 16.3 シリコン系太陽電池

2014年3月18日(火) 09:00 〜 11:45 E12 (E206)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[18a-E12-1] 結晶Si太陽電池用n型nc-3C-SiC:Hヘテロエミッタの高品質化

^○清水一希¹，EricAteto¹，宮島晋介¹，小長井誠^1,2 (東工大院理工¹，PVREC²)

09:15 〜 09:30

△ [18a-E12-2] a-Si:H/c-Siヘテロ接合型太陽電池の再結合抑制に向けた界面SiH₂量の低減

^○宇佐見晃平，藤原裕之 (岐阜大工)

09:30 〜 09:45

[18a-E12-3] Cat-CVDを用いて作製したa-Si/c-Siヘテロ接合界面の表面酸化による品質改善

^○及川貴史¹，大平圭介^1,2，松村英樹^1,2 (北陸先端大¹，JST CREST²)

09:45 〜 10:00

▼ [18a-E12-4] Drastic reduction in surface recombination velocity of Cat-CVD SiN_x/c-Si structures by phosphorus (P) Cat-doping

^○（D）Cham Thi Trinh^1,2，Koyama Koichi^1,2，Ohdaira Keisuke^1,2，Matsumura Hideki^1,2 (JAIST¹，JST CREST²)

10:00 〜 10:15

[18a-E12-5] オゾン支援を用いたミストCVD法による酸化アルミニウム(AlO_x)パッシベーション膜の特性

^○内田貴之¹，川原村敏幸²，柴山健次¹，藤田静雄¹，平松孝浩³，織田容征³ (京大院工¹，高知工大ナノ研²，東芝三菱電機産業システム³)

休憩 10:15〜10:30 (10:15 〜 10:30)

10:30 〜 10:45

△ [18a-E12-6] 結晶Si太陽電池表面パッシベーションにおける積層構造の検討

^○勝又隆晶^1,2,4，池野成裕¹，佐藤真一^3,4，吉田晴彦^3,4，新船幸二^3,4，知京豊裕^2,4，小椋厚志^1,4 (明治大¹，物材機構²，兵庫県立大³，JST-CREST⁴)

10:45 〜 11:00

[18a-E12-7] Si太陽電池用アルミナパッシベーション膜の電荷量と極性の決定因子

^○八木真人，荻田陽一郎 (神奈川工科大)

11:00 〜 11:15

[18a-E12-8] Sr_xSiO_x+2層の化学組成と膜中固定電荷の相関

^○（M1）谷脇将太¹，豊嶋祐樹¹，堀田育志^1,3，吉田晴彦^1,3，新船幸二^1,3，小椋厚志^2,3，佐藤真一^1,3 (兵庫県立大¹，明治大²，JST-CREST³)

11:15 〜 11:30

△ [18a-E12-9] 硝酸酸化法によるシリコン表面のパッシベーションと単結晶シリコン太陽電池の高効率化

^○廣瀬諒^1,2，松本健俊^1,2，小林光^1,2 (阪大産研¹，CREST-JST²)

11:30 〜 11:45

▲ [18a-E12-10] Oxygen Radical Treatment used for Fabricating Metal-Insulator-Semiconductor Solar Cells

^○（B）滋野聖，吉冨真也，蓮見真彦，鮫島俊之 (東京農工大)