一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18a-E13-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年3月18日(火) 09:00 〜 12:00 E13 (E301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[18a-E13-1] 薄いAlN/GaN超格子中間層によるSi基板上に成長されたGaN歪み変調のメカニズム

^○沈旭強，高橋言緒，井手利英，清水三聡 (産総研)

09:15 〜 09:30

[18a-E13-2] バッファ層を導入したグラフェン/Si (100)基板上RF-MBE成長GaNの極微構造評価

^○荒木努¹，内村智¹，名西?之^2,3，TatsuyaFujishima⁴，TomasPalacios⁴，AmaiaZurutuza⁵ (立命館大理工¹，R-GIRO²，ソウル国立大³，マサチューセッツ工科大⁴，Graphenea⁵)

09:30 〜 09:45

[18a-E13-3] ECR-MBE法で作製したグラフェン単層膜付/SiO₂/Si(001)基板上GaN薄膜(t～250nm)成長におけるグラフェン単層膜の影響

^○淀徳男¹，向田裕一¹，塩尻大士²，吉本護² (大工大電情通¹，東工大総理工²)

09:45 〜 10:00

[18a-E13-4] グラフェンバッファーを用いて試作した非晶質基板上窒化物発光素子

孫政佑¹，^○太田実雄¹，上野耕平¹，藤岡洋^1,2 (東大¹，JST-CREST²)

10:00 〜 10:15

[18a-E13-5] COガスを用いたSi表面炭化における基板前処理の影響

^○出浦桃子¹，米永一郎¹，福山博之² (東北大金研¹，東北大多元研²)

休憩 10:15〜10:30 (10:15 〜 10:30)

10:30 〜 10:45

△ [18a-E13-6] 高温スパッタ法により堆積したAlNバッファ層に関する検討

^○（M1）伊藤弘晃¹，飯田大輔¹，近藤保成¹，曽和美保子¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤碕勇^1,2 (名城大理工¹，名大赤碕記念研究センター²)

10:45 〜 11:00

△ [18a-E13-7] Ti初期配向層導入によるSi基板上スパッタAlNの配向性向上

^○（DC）光成正¹，本田善央¹，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤﨑リサーチセンター²)

11:00 〜 11:15

△ [18a-E13-8] ScAlMgO₄基板上におけるGaNのMOVPE成長

^○岩渕拓也¹，窪谷茂幸¹，谷川智之^1,2，花田貴^1,2，片山竜二^1,2，湊明郎³，福田承生³，松岡隆志^1,2 (東北大金研¹，JST-CREST²，福田結晶技術研究所³)

11:15 〜 11:30

[18a-E13-9] c面ScAlMgO₄基板上にMOVPE成長したGaNの異常分散X線回折による極性判定

^○花田貴^1,2，岩渕拓也¹，窪谷茂幸¹，谷川智之^1,2，片山竜二^1,2，湊明朗³，福田承生³，稲葉克彦⁴，松岡隆志^1,2 (東北大金研¹，JST-CREST²，福田結晶技研³，リガクX線研⁴)

11:30 〜 11:45

[18a-E13-10] Ga₂O₃（-201）基板上のGaN（0001）エピタキシャル膜の成長

^○森島嘉克，山下佳弘，佐藤慎九郎，飯塚和幸，倉又朗人，山腰茂伸 (タムラ製作所)

11:45 〜 12:00

▲ [18a-E13-11] III族原料流量変調エピタキシーによるN-face GaN(000-1)選択成長

^○林家弘，赤坂哲也，山本秀樹 (NTT物性研)