[18a-E2-1~5] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

2014年3月18日(火) 09:00 〜 10:15 E2 (E102)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:00 〜 09:15

[18a-E2-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）大面積単層WSe₂薄膜を用いたPNフォトダイオード

^○蒲江¹，清水諒¹，Chang-HsiaoChen²，岩佐義宏^3,4，Lain-jongLi²，竹延大志^1,5 (早大先進¹，Academia Sinica²，東大院工³，理研 CEMS⁴，早大材研⁵)

09:15 〜 09:30

^○小野満恒二，山本秀樹 (NTT物性研)

09:30 〜 09:45

^○（PC）毛利真一郎¹，周利中¹，壷井佑夏¹，宮内雄平^1,2，TohMinglin³，小鍋哲⁴，江田剛輝³，岡田晋⁴，松田一成¹ (京大エネ研¹，JSTさきがけ²，シンガポール国立大³，筑波大数理⁴)

09:45 〜 10:00

^○（P）大伴真名歩¹，山内泰²，圓谷志郎¹，松本吉弘¹，楢本洋¹，境誠司¹ (原子力機構先端基礎¹，物材機構²)

10:00 〜 10:15

塩田隆¹，大木敦巳¹，天野佳之¹，二之宮成樹^2,3，森貴洋³，大平恒公³，板谷太郎³，^○安藤淳³ (Wafer Integration Inc.¹，横国大院工²，産総研³)

休憩 10:15〜10:30 (10:15 〜 10:30)