[18a-E2-6~10] 17.2 構造制御・プロセス

2014年3月18日(火) 10:30 〜 11:45 E2 (E102)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

10:30 〜 10:45

[18a-E2-6] グラフェン／SiC界面へのSiインターカレーションによるグラフェンの電子状態の変調効果

^○木本真一¹，飯盛拓嗣²，梶原隆司¹，AntonVisikovskiy¹，小森文夫²，田中悟¹ (九大院工¹，東大物性研²)

10:45 〜 11:00

^○高見俊志，清野亮介，伊藤智昭，荻野俊郎 (横国大院工)

11:00 〜 11:15

^○小幡誠司¹，田中弘成²，斉木幸一朗^1,2 (東大新領域¹，東大院理²)

11:15 〜 11:30

^○Yana Mulyana¹，上沼睦典^1,3，石河泰明^1,3，黄晋二²，浦岡行治^1,3 (奈良先端大¹，青山学院大²，科学技術振興機構³)

11:30 〜 11:45

^○秋山蒼太郎^1,2，猪狩智彦¹，狩野絵美^1,2，陳秀琴¹，竹口雅樹³，村上勝久^1,2，藤田淳一^1,2 (筑波大数理¹，TIMS²，NIMS³)