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[18a-PG6-1~23] 14.4 光物性・発光デバイス

2014年3月18日(火) 09:30 〜 11:30 PG6 (G棟2階)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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09:30 〜 11:30

[18a-PG6-1] ポリビニルピロリドンを用いた光感受性物質を含有するシリカ修飾Y₂O₃:Er,Ybナノ粒子の合成と評価

^○藤井邦生，池畑友祐，小田原修，和田裕之 (東工大院総理工)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-2] Cu埋め込みされたマイクロポーラスシリコンの電気特性

^○（M1C）大矢敏史¹，近藤英一¹，ベルナールジェローズ²，金蓮花¹ (山梨大院医工¹，名大工²)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-3] Sm³⁺, Pr³⁺共添加ガラス蛍光体の発光特性 -母体ガラス依存性-

^○清水勇佑¹，渡辺敬太¹，上村彦樹²，渕真悟¹，竹田美和² (青学大¹，科技財団²)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-4] 金属酸化物を用いたアップコンバージョン蛍光体の発光特性評価

^○大山渓人¹，金森翼¹，渡孝則²，後藤裕彦³，ホムナトルイテル³，山本伸一¹ (龍谷大理工¹，佐賀大院工²，心和美創³)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-5] MOD法を用いて作製したアップコンバージョン蛍光体の発光特性評価

^○金森翼¹，渡孝則²，後藤裕彦³，ホムナトルイテル³，山本伸一¹ (龍谷大院理工¹，佐賀大院工²，心和美創³)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-6] Nd-Al共添加TiO₂薄膜のPL特性3

^○相澤豊¹，小室修二²，平尾法恵³，趙新為¹ (東理大理¹，東洋大理工²，原子力機構³)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-7] 立方晶ペロブスカイト構造BaZrO₃:Tiにおける応力発光

^○藤原理賀¹，上村直²，徐超男^1,2,3 (産総研¹，九大院総理工²，WPI-I2CNER³)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-8] Sr₃Sn₂O₇:Nd³⁺の近赤外応力発光

^○上村直¹，徐超男^1,2,3，寺崎正²，山田浩志²，寺澤佑仁²，藤原理賀²，松尾ともみ¹ (九大院総理工¹，産総研²，WPI-I2CNER³)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-9] 2層構造を有する分散型無機ELの輝度特性

^○安藤太志¹，浦岡行治²，田口信義³，山本伸一¹ (龍谷大理工¹，奈良先端大²，イメージテック³)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-10] マグネトロンスパッタ成膜法で作製したBi添加イットリウムベース酸化物蛍光体薄のPL及びEL特性

^○阿部信也，宮田俊弘 (金沢工大)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-11] CuAlS₂:Mn蛍光体薄膜におけるSi添加による発光特性の改善

^○川口英紀¹，大島祐樹¹，大観光徳^1,2 (鳥取大院工¹，TEDREC²)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-12] 黄色チオシリケート蛍光体Gd₄(SiS₄)₃:Ce³⁺の発光特性

^○（DC）七井靖，鈴木洋介，鈴木智大，室崎祐，奥野剛史 (電気通信大先進理工)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-13] シリコン基板上への緑色チオシリケート蛍光体La₆Si₄S₁₇:Ce³⁺の形成

^○室崎祐，七井靖，奥野剛史 (電気通信大先進理工)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-14] マンガン添加イットリウムチオシリケート蛍光体の発光特性

^○鈴木智大，七井靖，奥野剛史 (電気通信大先進理工)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-15] フッ化硫化物系母体材料を用いた赤色蛍光体

^○（M1）景山洋至¹，光本怜司¹，大観光徳^1,2 (鳥大院工¹，TEDREC²)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-16] 深赤色発光Mg₂(Ti_0.99-X, Ge_X, Mn_0.01)O₄蛍光体の合成と紫外線励起発光特性

^○河北将馬¹，小南裕子¹，中西洋一郎²，原和彦^1,2 (静岡大院工¹，静岡大電子研²)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-17] フラックス法を用いたY₂WO₆:Eu蛍光体の合成とその評価

今井大輔，^○加藤有行 (長岡技科大工)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-18] リンゴ酸とAPTESによる有機-無機ハイブリッド蛍光体の合成とその評価

川瀬琢也，小松啓志，^○加藤有行 (長岡技科大工)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-19] リン酸塩化合物蛍光体板を用いた大気圧プラズマ照射による液中還元過程の空間分布測定

山上紘平，高地満寿雄，^○加藤有行，岩崎孝太郎，濱谷憲太，高橋一匡，佐々木徹，菊池崇志，阿蘇司，原田信弘 (長岡技科大工)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-20] 誘導結合プラズマによるKSrPO₄:Eu蛍光体の還元処理

高地満寿雄，山上紘平，高橋一匡，佐々木徹，菊池崇志，^○加藤有行 (長岡技科大工)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-21] AgInS₂半導体バンドギャップエネルギーの正の温度変化

^○尾崎俊二，堀越義道 (群馬大理工)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-22] MoS₂薄膜における第二次高調波発生強度の層数依存性

^○塚本知九馬，野村晋太郎 (筑波大数理)

09:30 〜 11:30

[18a-PG6-23] p型GaInPを用いた2種フォノンと連続準位の量子干渉効果

^○坂本裕則，石原一行，馬?，森田健，石谷善博 (千葉大工)

セッション情報

[18a-PG6-1~23] 14.4 光物性・発光デバイス