昼食 12:15〜13:30 (12:15 〜 13:30)
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一般セッション(口頭講演)
13．半導体A（シリコン） » 13.2 絶縁膜技術
[18p-D8-1~15] 13.2 絶縁膜技術
2014年3月18日(火) 13:30 〜 17:30 D8 (D215)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
13:30 〜 13:45
○田中亮平1，秀島伊織1，箕浦佑也1，吉越章隆2，寺岡有殿2，細井卓治1，志村考功1，渡部平司1 (阪大院工1，原子力機構2)
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13:45 〜 14:00
○中山大樹1，大野武雄2，北城雅基1，寒川誠二1,2 (東北大流体研1，東北大WPI2)
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14:00 〜 14:15
○永冨雄太1，長岡裕一1，山本圭介2，王冬1，中島寛2 (九大・院総合理工学府1，九大・産学連携センター2)
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14:15 〜 14:30
○小橋和義1,2，長田貴弘2，生田目俊秀2，山下良之2，小椋厚志1，知京豊裕2 (明大理工1，物材機構2)
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14:30 〜 14:45
○中谷友哉，山口まりな，岩崎好考，上野智雄 (東京農工大・工)
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14:45 〜 15:00
○柴山茂久1,2，加藤公彦1，坂下満男1，竹内和歌奈1，田岡紀之1，中塚理1，財満鎭明1 (名大院工1，学振特別研究員2)
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15:00 〜 15:15
○田中克久1,2，張睿1,2，竹中充1,2，高木信一1,2 (東大工1，JST-CREST2)
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15:15 〜 15:30
○（M2）韓在勲1,2，張睿1,2，長田剛規3，畑雅彦3，竹中充1,2，高木信一1,2 (東大院工1，JST-CREST2，住友化学3)
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休憩 15:30〜15:45 (15:30 〜 15:45)
15:45 〜 16:00
○近田旬佑，高尾将和，本多敦史，檜貝信一，白露幸祐，藤井高志 (村田製作所)
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16:00 〜 16:15
○加藤公彦，浅野孝典，田岡紀之，坂下満男，中塚理，財満鎭明 (名大院工)
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16:15 〜 16:30
○（M1）後藤高寛1,2，藤川紗千恵1，藤代博記1，小倉睦郎2，安田哲二2，前田辰郎2 (東理大院基礎工1，産総研2)
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16:30 〜 16:45
○大嶺洋1，ダリューシュハサンザデ1，角嶋邦之2，西山彰2，杉井信之2，片岡好則2，若林整2，筒井一生2，名取研二1，岩井洋1 (東工大フロンティア研1，東工大院総合理工2)
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16:45 〜 17:00
○Wipakorn Jevasuwan，Tatsuro Maeda，Noriyuki Miyata，Minuro Oda，Toshifumi Irisawa，Tsutomu Tezuka，Tetsuji Yasuda (産総研)
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17:00 〜 17:15
○（PC）ダリューシュハサンザデ1，大嶺洋1，角嶋邦之2，片岡好則2，西山彰2，杉井信之2，若林整2，筒井一生2，名取研二1，岩井洋1 (東工大フロンティア研1，東工大総理工2)
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17:15 〜 17:30
△ [18p-D8-15] HfO2成膜前アニールにより形成したGaOxパッシベーション層形成によるSub-1.0 nm EOT HfO2/In0.53Ga0.47As nMISFETの電子移動度向上
○小田穣1，入沢寿史1，上牟田雄一1，JevasuwanWipakorn1，前田辰郎1，市川磨2，石原敏雄2，長田剛規2，手塚勉1 (産総研GNC1，住友化学2)
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