Lunch 11:45〜13:15 (11:45 〜 13:15)
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分科企画シンポジウム
分科企画シンポジウム » Developments and Challenges for Resistance Change Memories Technology (抵抗変化メモリ技術の発展及び課題）
[18p-E1-1~14] Developments and Challenges for Resistance Change Memories Technology (抵抗変化メモリ技術の発展及び課題）
2014年3月18日(火) 13:15 〜 18:30 E1 (E101)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
13:15 〜 13:45
○竹内健 (中央大学 電気電子情報通信工学科)
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13:45 〜 14:15
○Masashi Arita，Yasuo Takahashi (北大情報)
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14:15 〜 14:45
○二宮健生，村岡俊作，魏志強 (パナソニック)
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14:45 〜 15:15
○Ming-JinnTsai (ＩＴＲＩ)
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Break 15:15〜15:30 (15:15 〜 15:30)
15:30 〜 16:00
○鶴岡徹1,2，長谷川剛1,2，寺部一弥1，青野正和1 (物材機構1，JST-CREST2)
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16:00 〜 16:15
MakotoMiyamura，ToshitsuguSakamoto，○MunehiroTada，NaokiBanno，KoichiroOkamoto，NoriyukiIguchi，HiromitsuHada (LEAP)
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16:15 〜 16:45
▲ [18p-E1-7] Impact of oxidization, nitridation, and process temperature on materials for ReRAM（30分）
○島久，秋永広幸 (産総研ナノエレ部門)
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16:45 〜 17:00
○Takeo Ohno1,2，Seiji Samukawa1,3 (WPI-AIMR, Tohoku Univ.1，JST-PRESTO2，IFS, Tohoku Univ.3)
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17:00 〜 17:15
○Mutsunori Uenuma1,2，Takahiko Ban1,2，Naofumi Okamoto1，Ichiro Yamashita1,2，Yukiharu Uraoka1,2 (NAIST1，CREST2)
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17:15 〜 17:30
○西佑介，篠倉弘樹，岩田達哉，木本恒暢 (京大院工)
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17:30 〜 17:45
○（D）大塚慎太郎，濱田佳典，清水智弘，新宮原正三 (関西大)
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17:45 〜 18:00
○谷本優輔1，YoshihumiHamada2，ShintaroOtsuka2，TomohiroShimizu2，ShosoShingubara2，TadatakaWatanabe1，YoshikiTakano1，KouichiTakase1 (Nihon Univ.1，Kansai Univ.2)
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18:00 〜 18:15
○Atsushi Yamashita，Yoshihiko Sato，Takahiro Tsukamoto，Yoshiyuki Suda (Tokyo Univ. of Agric. & Tech)
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18:15 〜 18:30
○坂間弘 (上智大理工)
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