一般セッション(口頭講演)

16．非晶質・微結晶 » 16.3 シリコン系太陽電池

[18p-E12-1~21] 16.3 シリコン系太陽電池

2014年3月18日(火) 13:15 〜 19:00 E12 (E206)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食 11:45〜13:15 (11:45 〜 13:15)

13:15 〜 13:30

[18p-E12-1] フォトニック結晶構造を有する微結晶シリコン太陽電池の基礎検討

^○石崎賢司¹，MenakaDeZoysa¹，田中良典¹，梅田尚実¹，川本洋輔¹，藤田奨也¹，重田博昭^1,2，冨士田誠之^1,3，野田進¹ (京大院工¹，シャープ²，阪大院基礎工³)

13:30 〜 13:45

[18p-E12-2] 周期構造を有するガラス基板を用いたスーパーストレート型薄膜シリコン太陽電池の検討

^○齋均¹，前島圭剛²，松井卓矢¹，鯉田崇¹，吉田功²，近藤道雄¹ (産総研¹，PVTEC²)

13:45 〜 14:00

[18p-E12-3] モスアイフィルムによるサブストレート型薄膜シリコン太陽電池の光取り込みの改善

^○齋均¹，松井卓矢¹，鯉田崇¹，齊藤公彦³，吉田功²，近藤道雄¹ (産総研¹，ＰＶＴＥＣ²，福島大³)

14:00 〜 14:15

[18p-E12-4] 酸化物微粒子層を用いた高光散乱かつ平坦な透明導電基板の作製

^○鈴木一鋭，三浦修平，田代真樹，野田真一，野々村修一 (岐大院)

14:15 〜 14:30

[18p-E12-5] 機能分離型酸化亜鉛テクスチャ基板の開発

^○片山博貴，矢田茂郎，寺川朗 (パナソニック)

14:30 〜 14:45

[18p-E12-6] Ge量子ドット積層フォトニックナノ構造を用いた光キャリア生成増大

^○太野垣健¹，星裕介²，岸本裕子¹，宇佐美徳隆² (京大化研¹，名大工²)

14:45 〜 15:00

[18p-E12-7] タンデム太陽電池用Siナノウォールの形成技術

^○冨澤浩¹，左近司裕樹¹，市川幸美¹，小長井誠^1,2 (科学技術振興機構¹，東工大院理工²)

休憩 15:00〜15:15 (15:00 〜 15:15)

15:15 〜 15:30

[18p-E12-8] オゾン酸化によるシリコンナノワイヤの細線化

^○（B）石田瑛一¹，山田康晴²，加藤慎也⁵，黒川康良^2,4，山田明^2,3 (東工大工¹，東工大院理工²，東工大PVREC³，JST-さきがけ⁴，JST-FUTURE-PV⁵)

15:30 〜 15:45

△ [18p-E12-9] 多結晶シリコンナノワイヤのキャリアライフタイム評価

^○加藤慎也¹，山崎竜也²，宮島晋介²，小長井誠^1,2 (科学技術振興機構¹，東工大院理工²)

15:45 〜 16:00

▲ [18p-E12-10] A Simple Alternative of Barrier Layer Removal of Nanoporous Alumina Template on Silicon Substrate

^○（P）HoangNguyenVan^1,2，YusukeHoshi¹，NoritakaUsami^1,2 (Nagoya University¹，Japan Science and Technology Agency²)

16:00 〜 16:15

[18p-E12-11] ワイヤ状のPN接合を備えたシリコンナノワイヤ太陽電池の発電特性評価

^○兼松大二^1,2，矢田茂郎¹，寺川朗¹，田中誠¹，小長井誠² (パナソニック¹，東工大²)

16:15 〜 16:30

[18p-E12-12] シリコンナノ粒子の光起電力特性

^○（B）山野邊奎耶¹，鈴木涼子¹，佐藤慶介¹，深田直樹²，平栗健二¹ (東電大¹，物材研²)

16:30 〜 16:45

[18p-E12-13] 導波路結合フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池

^○石橋晃，河西剛，近藤憲治，海住英生，谷口朝哉 (北大電子研)

16:45 〜 17:00

▲ [18p-E12-14] 有機表面修飾したナノ結晶シリコン自立膜セルの光電特性

^○（PC）RomainMentek¹，BernardGelloz²，筆宝大平¹，越田信義¹ (農工大¹，名大²)

休憩 17:00〜17:15 (17:00 〜 17:15)

17:15 〜 17:30

[18p-E12-15] 結晶Si/PEDOT:PSS接合太陽電池へのa-Si:H層挿入効果

^○渡辺恭平，QimingLiu，IshworKhatri，石川良，上野啓司，白井肇 (埼玉大理工研)

17:30 〜 17:45

△ [18p-E12-16] Mgを導入した低SiH₂量アモルファスシリコン系半導体の作製

^○伊藤巧，藤関健正，藤原裕之 (岐阜大)

17:45 〜 18:00

▲ [18p-E12-17] シクロペンタシランを用いた並列蒸着法による常圧でのa-Si:H膜の作製

^○申仲栄^1,2，増田貴史^1,3，高岸秀行^1,2，大平圭介^1,2,3，下田達也^1,2,3 (北陸先端大¹，JST-ALCA²，北陸先端大GDRC³)

18:00 〜 18:15

[18p-E12-18] p型a-Si:H、a-SiO:H、a-SiC:Hの製膜温度特性の検討

^○傍島靖^1,2，木谷彬彦¹，田中貫¹，矢田貴大¹，佐田千年長^1,2，松田彰久^1,2，岡本博明^1,2 (阪大院基礎工¹，JST-CREST²)

18:15 〜 18:30

△ [18p-E12-19] 量子分子動力学法を用いたa-Si_1-xC_x:HのプラズマCVD成長機構に関する研究

^○（D）桑原卓哉，伊藤寿，樋口祐次，尾澤伸樹，久保百司 (東北大院工)

18:30 〜 18:45

▲ [18p-E12-20] Defect analysis of amorphous silicon solar cells by Fourier transform photocurrent spectroscopy

^○AdrienBidiville，TakuyaMatsui (AIST)

18:45 〜 19:00

△ [18p-E12-21] グラフェン透明電極を有する薄膜シリコン太陽電池

^○（PC）石川亮佑¹，宮島晋介²，小長井誠^1,2 (科学技術振興機構¹，東工大院理工²)