一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[18p-E13-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年3月18日(火) 13:00 〜 18:15 E13 (E301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 12:00〜13:00 (12:00 〜 13:00)

13:00 〜 13:30

[18p-E13-1] 「第4回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）受賞記念講演」（30分）化合物半導体成長の化学 -熱力学解析から新しい成長法-

^○纐纈明伯 (農工大)

13:30 〜 13:45

[18p-E13-2] 酸性アモノサーマル法による高品位GaN結晶育成

^○斉藤真^1,2，包全喜^1,3，冨田大輔¹，古澤健太郎¹，鏡谷勇二²，茅野林造³，喬焜¹，石黒徹¹，横山千秋¹，秩父重英¹ (東北大多元研¹，三菱化学²，日本製鋼所³)

13:45 〜 14:00

[18p-E13-3] Naフラックス法における種結晶表面状態制御にむけたディッピング技術の導入

^○佐藤太郎，今西正幸，中村亘志，村上航介，今林弘毅，高澤秀生，轟夕摩，松尾大輔，丸山美帆子，今出完，吉村政志，森勇介 (阪大工)

14:00 〜 14:15

△ [18p-E13-4] Naフラックス結合成長法における成長ハビットと転位挙動の関係

^○今西正幸¹，村上航介¹，今林弘毅¹，高澤秀生¹，松尾大輔¹，轟夕摩¹，丸山美帆子¹，浅津宏伝²，竹内正太郎²，中村芳明²，酒井朗²，今出完¹，吉村政志¹，森勇介¹ (阪大院工¹，阪大院基礎工²)

14:15 〜 14:30

[18p-E13-5] Ga₂OをGa源としたGaN気相成長法によるNaフラックス基板上高速成長

^○高津啓彰¹，重田真実¹，隅智亮¹，渊ト¹，北本啓¹，今出完¹，吉村政志¹，伊勢村雅士²，森勇介¹ (阪大¹，伊藤忠プラスチックス²)

14:30 〜 14:45

[18p-E13-6] 金属Gaを出発原料としたGa₂Oを用いたGaN結晶の成長

^○隅智亮¹，重田真実¹，卜渊¹，北本啓¹，今出完¹，吉村政志¹，伊勢村雅士²，森勇介¹ (阪大院工¹，伊藤忠プラスチックス²)

休憩 14:45〜15:00 (14:45 〜 15:00)

15:00 〜 15:15

[18p-E13-7] 第一原理計算によるC添加NaフラックスGaN成長過程の検討

^○河村貴宏^1,2，今林弘毅²，丸山美帆子²，今出完²，吉村政志²，森勇介²，森川良忠² (三重大院工¹，阪大院工²)

15:15 〜 15:30

[18p-E13-8] ハイドライド気相成長法による半極性面{11-22}GaNの転位・積層欠陥の低減

^○上野元久，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大工)

15:30 〜 15:45

[18p-E13-9] ハイドライド気相成長法による半極性面GaNの再成長

^○稲垣卓志，橋本健宏，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大)

15:45 〜 16:00

[18p-E13-10] HVPEの成長条件が厚膜{20-21} GaNの結晶性に与える影響

^○橋本健宏，山根啓輔，岡田成仁，只友一行 (山口大)

16:00 〜 16:15

△ [18p-E13-11] GaN自立基板のサーマルクリーニング

^○（M1）岡田俊祐¹，三宅秀人¹，平松和政¹，宮川鈴衣奈²，江龍修² (三重大院工¹，名工大²)

16:15 〜 16:30

△ [18p-E13-12] 非接触超音波共振法による高温における高抵抗GaNのキャリアダイナミクスおよび圧電性消失の観測

^○（M1）筒井裕貴¹，荻博次¹，中村暢伴¹，森勇介²，今出完²，吉村政志²，平尾雅彦¹ (阪大基礎工¹，阪大工²)

休憩 16:30〜16:45 (16:30 〜 16:45)

16:45 〜 17:00

△ [18p-E13-13] HVPE法による周期溝加工AlN自立基板へのホモエピタキシャル成長

^○（M1）渡邉祥順¹，三宅秀人¹，平松和政¹，岩崎洋介²，永田俊郎² (三重大院工¹，JFEミネラル技術研究所²)

17:00 〜 17:15

[18p-E13-14] HVPE法によるScNの成長と評価

^○大島祐一，GarciaVillora，島村清史 (物材機構)

17:15 〜 17:30

[18p-E13-15] 反応性プラズマ支援成膜法により形成したBN膜の構造と機械特性 —窒素流量依存性—

^○野間正男¹，江利口浩二²，長谷川繁彦³ (神港精機¹，京大²，阪大³)

17:30 〜 17:45

[18p-E13-16] 単結晶立方晶窒化ホウ素(c-BN)のイオンビームアシストMBE成長機構

^○平間一行，谷保芳孝，狩元慎一，山本秀樹 (NTT物性研)

17:45 〜 18:00

[18p-E13-17] 高温CVDにより成長した六方晶BN薄膜の発光特性

^○梅原直己¹，桑原伊織¹，李惠映¹，光野徹也³，小南裕子³，中西洋一郎¹，原和彦^1,2 (静岡大電子研¹，静岡大創造大院²，静岡大院工³)

18:00 〜 18:15

[18p-E13-18] CVDによりサファイア基板上に成長させた六方晶窒化ホウ素薄膜の結晶構造評価

^○桑原伊織¹，梅原直己¹，光野徹也³，小南裕子³，中西洋一郎¹，原和彦^1,2 (静岡大電子研¹，静岡大創造大院²，静岡大院工³)