一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.6 IV族系化合物

[18p-E5-1~11] 15.6 IV族系化合物

2014年3月18日(火) 13:15 〜 16:15 E5 (E105)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食 11:45〜13:15 (11:45 〜 13:15)

13:15 〜 13:30

△ [18p-E5-1] 高電流増幅率4H-SiC(000-1) BJTの電流増幅率の温度依存性

^○浅田聡志¹，奥田貴史²，木本恒暢²，須田淳² (京大工¹，京大院工²)

13:30 〜 13:45

[18p-E5-2] 界面トラップによるクーロン散乱を取り入れたSiC-MOSFETのキャリア移動度モデル

^○野口弘樹，村上英一，園田優 (九州産業大)

13:45 〜 14:00

[18p-E5-3] Si/4H-SiCヘテロ接合界面に対する熱処理の効果

^○梁剣波¹，新井学²，西田将太¹，森本雅史¹，重川直輝¹ (阪市大¹，新日本無線²)

14:00 〜 14:15

△ [18p-E5-4] SAB法によるp⁺-Si / n-4H-SiC接合のアニール温度依存性

^○（M1）西田将太¹，梁剣波¹，林朋宏¹，森本雅史¹，重川直輝¹，新井学² (阪市大工¹，新日本無線²)

14:15 〜 14:30

[18p-E5-5] 市販されているSiC MOSFETの長期安定性

^○南眞嗣 (フェニテックセミコンダクター)

14:30 〜 14:45

△ [18p-E5-6] 水素ガスエッチングを施した4H-SiC極性面および無極性面基板の表面形状

^○東孝洋，金子光顕，木本恒暢，須田淳 (京大院工)

休憩 14:45〜15:00 (14:45 〜 15:00)

15:00 〜 15:15

△ [18p-E5-7] ゲートバイアスストレスによるしきい値電圧変動の緩和挙動と新規測定法の提案

^○染谷満¹，岡本大¹，原田信介¹，石森均¹，高須伸次¹，畠山哲夫¹，武井学²，児島一聡¹，米澤善幸¹，福田憲司¹，奥村元¹ (産総研先進パワエレ¹，富士電機²)

15:15 〜 15:30

△ [18p-E5-8] コンダクタンス法を用いたSiC(11\overline{2}0)および(1\overline{1}00) MOS界面準位の評価

^○中澤成哉¹，奥田貴史¹，中村孝²，木本恒暢¹ (京大工¹，ローム²)

15:30 〜 15:45

[18p-E5-9] p型4H-SiC中に存在する価電子帯近傍の深い準位

^○中根浩貴，加藤正史，市村正也 (名工大)

15:45 〜 16:00

[18p-E5-10] 4H-SiCにおける表面再結合速度の温度依存性の評価

^○小濱公洋，森佑人，加藤正史，市村正也 (名工大)

16:00 〜 16:15

[18p-E5-11] 4H-SiC表面の水分解反応：第一原理解析

松岡良，^○鶴田健二，新池一央 (岡山大院自然)