[19a-D8-1~13] 14.3 電子デバイス・プロセス技術

2014年3月19日(水) 09:00 〜 12:30 D8 (D215)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[19a-D8-1] デバイスシミュレーションによる横型GaNパワーデバイスの極限オン抵抗の試算

^○寺山一真¹，中島昭²，西澤伸一²，大橋弘通²，角嶋邦之¹，若林整¹，筒井一生¹，岩井洋¹ (東工大¹，産総研²)

09:15 〜 09:30

[19a-D8-2] GaN基板上AlGaN/GaN HEMTを用いた縦方向リーク電流に関する考察

^○田邉真一¹，渡邉則之¹，内田昌宏²，深田崇³，清見和正³，松崎秀昭¹ (NTTフォトニクス研¹，NTT-AT²，三菱化学³)

09:30 〜 09:45

[19a-D8-3] エレクトロルミネッセンスを用いたAlGaN/GaN HEMTの電子温度の見積もり

^○藤本裕一，成田知隆，分島彰男，江川孝志 (名工大)

09:45 〜 10:00

[19a-D8-4] 独立印加型Field Plate電極を用いたGaN系HEMTの過渡特性解析

^○間瀬駿，分島彰男，江川孝志 (名工大)

10:00 〜 10:15

△ [19a-D8-5] AlGaN/GaN HEMTにおけるオフストレス後の電流変動評価

^○（M1）西口賢弥¹，JoelT.asubar¹，橋詰保^1,2 (北大量集センター¹，JST-CREST²)

10:15 〜 10:30

△ [19a-D8-6] GaN HFETサイドゲート効果光応答のシミュレーション

^○井川裕介¹，李根三²，敖金平¹，大野泰夫³ (徳島大¹，日本シノプシス²，eデバイス³)

休憩 10:30〜10:45 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

[19a-D8-7] GaN系HEMTのノーマリオフ化に向けた選択ドライエッチング

^○安藤彰浩¹，長田大和²，上村隆一郎²，分島彰男¹，江川孝志¹ (名工大¹，ULVAC²)

11:00 〜 11:15

△ [19a-D8-8] AlGaN/GaN ヘテロ構造上に形成したp-GaN層の選択的電気化学エッチング

^○熊崎祐介¹，佐藤威友¹，橋詰保^1,2 (北大量集セ¹，JST-CREST²)

11:15 〜 11:30

△ [19a-D8-9] 多層SiCNを用いて作製した傾斜型フィールドプレートによるAlGaN/GaN HEMTにおける電流コラプスの抑制

^○（M2）小林健悟¹，畠山信也¹，吉田智洋¹，矢部裕平¹，DanielPiedra²，TomasPalacios²，尾辻泰一¹，末光哲也¹ (東北大通研¹，MIT MTL²)

11:30 〜 11:45

△ [19a-D8-10] 広い温度範囲で動作するAlGaN/GaN系Pチャネル型HFET

^○米澤宏昭¹，萱沼怜¹，中島昭³，西澤伸一³，大橋弘通³，角嶋邦之¹，若林整¹，岩井洋²，筒井一生¹ (東工大総理工¹，東工大フロンティア研²，産総研³)

11:45 〜 12:00

[19a-D8-11] i線ステッパによるGaN HEMT微細ゲートプロセス

^○市川弘之，水江千帆子，眞壁勇夫，舘野泰範，中田健，井上和孝 (住友電工伝送デバイス研)

12:00 〜 12:15

[19a-D8-12] InAlN/AlN/GaN HEMTにおけるデバイス特性のInAlNバリア層厚依存性(II)

^○山下良美¹，渡邊一世¹，遠藤聡^1,2，笠松章文¹，三村高志^1,2 (情報通信研究機構¹，富士通研²)

12:15 〜 12:30

[19a-D8-13] 層状BN剥離層を利用した銅板転写によるAlGaN/GaN HEMTの自己発熱効果の抑制

^○廣木正伸，熊倉一英，山本秀樹 (NTT物性研)