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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[19a-D9-1~13] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

2014年3月19日(水) 09:00 〜 12:30 D9 (D315)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:00 〜 09:15

^○矢野大作¹，村山雅美¹，高橋昌男²，小林光²，山中弘次¹ (オルガノ¹，阪大産研²)

09:15 〜 09:30

^○中岡聡¹，山口康隆¹，川上雅之²，矢野大作²，山中弘次² (阪大院工¹，オルガノ²)

09:30 〜 09:45

^○菓子未映子¹，神林琢也¹，大川真樹²，浜野恵¹，陳岡敏典¹，高橋広毅¹，太田勝啓¹，佐伯智則¹ (日立製作所横浜研究所¹，国際電気ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰｻｰﾋﾞｽ²)

09:45 〜 10:00

^○高木想，斧田拓也，森良弘 (堀場製作所)

10:00 〜 10:15

^○有馬健太¹，河合佳枝¹，箕浦佑也¹，齋藤雄介¹，森大地¹，川合健太郎¹，細井卓治¹，渡部平司¹，森田瑞穂¹，ZhiLiu² (阪大院工¹，バークレー国立研²)

10:15 〜 10:30

^○工藤聡也，大見俊一郎，韓大熙，NithiAtthi (東工大)

休憩 10:30〜10:45 (10:30 〜 10:45)

10:45 〜 11:00

^○大野力一，嵯峨幸一郎 (ソニー)

11:00 〜 11:15

^○平松智記，中山隆史 (千葉大)

11:15 〜 11:30

^○加藤一郎 (宇宙航空研究開発機構)

11:30 〜 11:45

^○村田晃一^1,2，新田清文³，宇留賀朋哉³，寺田靖子³，矢代航⁴，日塔光一¹，坂田修身¹，三木一司^1,2 (物材機構¹，筑波大院数物²，JASRI³，東北大多元研⁴)

11:45 〜 12:00

^○恒川直輝¹，牧原克典¹，池田弥央²，宮崎誠一¹ (名古屋大院工¹，広大院先端研²)

12:00 〜 12:15

^○金野晃之¹，佐々木智一²，大久保忠勝³，富田充裕¹，宝野和博³ (東芝研究開発センター¹，東芝ナノアナリシス²，物材機構³)

12:15 〜 12:30

^○多田哲也¹，ポボロッチウラジミール¹，森田行則²，ゲシェフパベル³ (産総研-NeRI¹，GNC-産総研²，ロシア熱物理学研究所³)