09:00 〜 09:15
○矢野大作1,村山雅美1,高橋昌男2,小林光2,山中弘次1 (オルガノ1,阪大産研2)
一般セッション(口頭講演)
13.半導体A(シリコン) » 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション
2014年3月19日(水) 09:00 〜 12:30 D9 (D315)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
09:00 〜 09:15
○矢野大作1,村山雅美1,高橋昌男2,小林光2,山中弘次1 (オルガノ1,阪大産研2)
09:15 〜 09:30
○中岡聡1,山口康隆1,川上雅之2,矢野大作2,山中弘次2 (阪大院工1,オルガノ2)
09:30 〜 09:45
○菓子未映子1,神林琢也1,大川真樹2,浜野恵1,陳岡敏典1,高橋広毅1,太田勝啓1,佐伯智則1 (日立製作所 横浜研究所1,国際電気セミコンダクターサービス2)
09:45 〜 10:00
○高木想,斧田拓也,森良弘 (堀場製作所)
10:00 〜 10:15
○有馬健太1,河合佳枝1,箕浦佑也1,齋藤雄介1,森大地1,川合健太郎1,細井卓治1,渡部平司1,森田瑞穂1,ZhiLiu2 (阪大院工1,バークレー国立研2)
10:15 〜 10:30
○工藤聡也,大見俊一郎,韓大熙,NithiAtthi (東工大)
休憩 10:30〜10:45 (10:30 〜 10:45)
10:45 〜 11:00
○大野力一,嵯峨幸一郎 (ソニー)
11:00 〜 11:15
○平松智記,中山隆史 (千葉大)
11:15 〜 11:30
○加藤一郎 (宇宙航空研究開発機構)
11:30 〜 11:45
○村田晃一1,2,新田清文3,宇留賀朋哉3,寺田靖子3,矢代航4,日塔光一1,坂田修身1,三木一司1,2 (物材機構1,筑波大院数物2,JASRI3,東北大多元研4)
11:45 〜 12:00
○恒川直輝1,牧原克典1,池田弥央2,宮崎誠一1 (名古屋大院工1,広大院先端研2)
12:00 〜 12:15
○金野晃之1,佐々木智一2,大久保忠勝3,富田充裕1,宝野和博3 (東芝研究開発センター1,東芝ナノアナリシス2,物材機構3)
12:15 〜 12:30
○多田哲也1,ポボロッチウラジミール1,森田行則2,ゲシェフパベル3 (産総研-NeRI1,GNC-産総研2,ロシア熱物理学研究所3)