一般セッション(口頭講演)

06．薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[19p-D6-1~18] 6.4 薄膜新材料

2014年3月19日(水) 13:45 〜 18:30 D6 (D209)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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Lunch 12:15〜13:45 (12:15 〜 13:45)

13:45 〜 14:00

▲ [19p-D6-1] In situ temperature measurement of oxide thin films at a nanosecond time scale during pulsed UV laser irradiation

^○KentaroShinoda¹,TomohikoNakajima¹,TetsuoTsuchiya¹ (AIST¹)

14:00 〜 14:15

▲ [19p-D6-2] Graphene and tungsten disulfide nanosheets prepared using liquid phase exfoliation

^○Filchito Renee Bagsican¹,Makoto Ohshiro¹,Kazuhisa Takayama¹,Iwao Kawayama¹,Hironaru Murakami¹,Andrew Winchester²,Sujoy Kittu²,Saikat Talapatra²,Masayoshi Tonouchi¹ (Osaka Univ¹, SIU-C²)

14:15 〜 14:30

▼ [19p-D6-3] Improvement of Electrical Properties of InGaZnO Thin-Film Transistors by Fluorinated Silicon Nitride Passivation

^○（D）jingxinJiang¹,TatsuyaToda¹,MamoruFuruta¹ (Kochi Univ. of Tech.¹)

14:30 〜 14:45

▼ [19p-D6-4] Extension of endurance of superhydrophilicity in Cassie-Baxter law by epitaxial growth of SiO2 overlayers on a rutile TiO2(110) surface

^○TuLe¹,AkiraSasahara¹,MasahikoTomitori¹ (JAIST¹)

14:45 〜 15:00

▼ [19p-D6-5] 種々の酸素流量で成膜した二元系Fe-O薄膜の電気的特性

^○小川由希子，須藤祐司，安藤大輔，小池淳一 (東北大工)

15:00 〜 15:15

△ [19p-D6-6] 還元条件下で作製したイットリウム酸化物エピタキシャル薄膜

^○神永健一¹，清良輔¹，福村知昭^1,2，長谷川哲也^1,2 (東大理化¹，JST-CREST²)

15:15 〜 15:30

△ [19p-D6-7] パルスレーザー堆積法による超高密度ターゲットを用いたABO₃(A=Ca,Sr,La B=Mn,Fe)単相薄膜の作製と結晶構造解析

^○大島佳祐¹，渡部雄太¹，及川貴大¹，稲葉隆哲¹，岩田展幸¹，山本寛¹，橋本拓也² (日大理工¹，日大文理²)

15:30 〜 15:45

△ [19p-D6-8] 雰囲気制御下におけるCo_xO_y系薄膜の室温エピタキシャル成長と異種積層膜の作製

^○松田晃史¹，金子智^2,1，木口賢紀³，吉本護¹ (東工大・総理工¹，神奈川県産技セ²，東北大・金研³)

15:45 〜 16:00

△ [19p-D6-9] RFマグネトロンスパッタリング法による高In組成ZnInON膜の作製

^○松島宏一¹，清水僚太¹，井手智章¹，山下大輔¹，鎌滝晋礼¹，徐鉉雄¹，古閑一憲¹，白谷正治¹，板垣奈穂^1,2 (九州大¹，JSTさきがけ²)

16:00 〜 16:15

△ [19p-D6-10] パルスレーザ堆積法を用いたTiH₂薄膜の作製

^○鈴木崇之¹，吉松公平¹，土嶺信男²，大島孝仁¹，大友明^1,3,4 (東工大院理工¹，豊島製作所²，元素戦略³，JST-ALCA⁴)

休憩 16:15〜16:30 (16:15 〜 16:30)

16:30 〜 16:45

[19p-D6-11] p-SnS/n-Siヘテロ接合の電子構造

^○井上岳士¹，平松秀典^1,2，細野秀雄^1,2,3，神谷利夫^1,2，植田茂典⁴，大橋直樹^2,4 (東工大応セラ研¹，東工大元素戦略研²，東工大フロンティア研³，物材機構⁴)

16:45 〜 17:00

[19p-D6-12] 周期的な非稠密円柱配列構造のボトムアップ形成

^○菅沼真太，兼子泰幸，名村今日子，中嶋薫，木村健二，鈴木基史 (京大院工)

17:00 〜 17:15

[19p-D6-13] 立方晶系LaBaMnO3/六方晶系ZnOのヘテロ構造の作成とp-n接合特性

^○（M1）森俊貴¹，岡田聡¹，與倉三好¹，稲葉克彦²，小林信太郎²，岩田展幸³，SanapaReddy⁴，遠藤民生¹ (三重大工¹，リガク²，日大³，S.V.D. College⁴)

17:15 〜 17:30

[19p-D6-14] ワイドギャップZn₃N₂ 薄膜の電気伝導性

^○山田直臣，渡会光貴，曹祥，山口孝弘，佐藤厚，二宮善彦 (中部大工)

17:30 〜 17:45

[19p-D6-15] スパッタリング成膜によるランタンとチタンの複合酸化物光学薄膜の作製(2)

^○中野良太，奥田良，室谷裕志 (東海大)

17:45 〜 18:00

[19p-D6-16] スパッタ法により形成したO₂導入Al添加CeO₂薄膜の評価（1）

^○原健太¹，岡崎拓也¹，野谷祐貴¹，大澤隆志¹，日比野圭佑¹，鈴木摂²，石橋啓次²，山本康博¹ (法政大¹，コメット²)

18:00 〜 18:15

[19p-D6-17] スパッタ法により形成したO₂導入Al添加CeO₂薄膜の評価(2)

^○野谷祐貴¹，岡崎拓也¹，原健太¹，大澤隆志¹，日比野圭佑¹，鈴木摂²，石橋啓次²，山本康博¹ (法政大¹，コメット²)

18:15 〜 18:30

[19p-D6-18] LiNbO₃基板上におけるCr₂O₃薄膜の結晶成長および構造解析

^○中村拓未，黒田卓司，林佑太郎，隅田貴士，岩田展幸，山本寛 (日大理工)