一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[19p-D9-1~18] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

2014年3月19日(水) 14:00 〜 19:00 D9 (D315)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 12:30〜14:00 (12:30 〜 14:00)

14:00 〜 14:15

△ [19p-D9-1] β-Si3N4/Si界面構造のモデル化と金属原子の安定性に関する第一原理解析

^○（M1）柴田大生¹，小林駿介¹，末岡浩治¹，小町潤²，嵯峨幸一郎² (岡山県大院情報系¹，ソニー²)

14:15 〜 14:30

△ [19p-D9-2] Si窒化膜表面近傍における不純物金属原子の安定性に関する第一原理解析

^○（M2）小林駿介¹，柴田大生¹，末岡浩治¹，小町潤²，嵯峨幸一郎² (岡山県大院情報系¹，ソニー²)

14:30 〜 14:45

△ [19p-D9-3] 化学的転写法によるシリコンナノクリスタル層とシリコンマイクロホールの作製

^○今村健太郎，入鹿大地，赤井智喜，小林光 (阪大産研)

14:45 〜 15:00

△ [19p-D9-4] チップ増強ラマン分光法による歪Si評価

^○小瀬村大亮¹，富田基裕¹，シティノルヒダヤーチェモハマドユソフ¹，後藤千絵²，川口哲成²，三澤真弓²，小椋厚志¹ (明治大理工¹，ブルカーAXS²)

15:00 〜 15:15

△ [19p-D9-5] 表面増強ラマン分光法による歪SiGe薄膜のLO/TOフォノン励起

^○山本章太郎¹，小瀬村大亮¹，シティノルヒダヤーモハマドユソフ¹，木嶋隆浩¹，今井亮佑¹，臼田宏治²，小椋厚志¹ (明治大理工¹，産総研GNC²)

15:15 〜 15:30

△ [19p-D9-6] 超解像ラマン分光法による微細加工歪SiGe層に生じる応力緩和の高空間分解能2次元分布評価

^○富田基裕^1,2，小瀬村大亮¹，臼田宏治³，小椋厚志¹ (明大理工¹，学振特別研究員DC²，産総研GNC³)

15:30 〜 15:45

△ [19p-D9-7] ソース・ドレインの不純物位置ばらつきによる電流ばらつきの解析

^○鈴木晃人¹，阿久津梨花¹，今井裕也¹，神岡武文²，鎌倉良成³，渡邉孝信¹ (早大理工¹，豊田工大²，阪大院工³)

15:45 〜 16:00

△ [19p-D9-8] Si切粉から作製したSiナノ粒子の水素発生

^○（M2）喜村勝矢^1,3，髙橋昌男^1,3，金谷弥生^2,3，肥後徹^2,3，小林光^1,3 (阪大産研¹，日新化成²，CREST-JST³)

休憩 16:00〜16:15 (16:00 〜 16:15)

16:15 〜 16:30

▲ [19p-D9-9] Spatial Variation in Carrier Concentration in Nanocrystal Ni-Si Films Measured by Multimode Scanning Probe Microscopy

^○LeonidBolotov^1,2，内田紀行²，多田哲也²，金山敏彦² (筑波大¹，産総研²)

16:30 〜 16:45

[19p-D9-10] リモート水素プラズマ支援によるMnおよびMnジャーマナイドナノドットの高密度一括形成

^○温映輝¹，牧原克典¹，大田晃生²，池田弥央³，宮崎誠一¹ (名大院工¹，名大VBL²，広大院先端研³)

16:45 〜 17:00

[19p-D9-11] P添加GeコアSi量子ドットのフォトルミネッセンス特性評価

^○（B）近藤圭悟¹，鈴木善久¹，牧原克典¹，池田弥央²，小山剛史¹，岸田英夫¹，宮崎誠一¹ (名大院工¹，広大院先端研²)

17:00 〜 17:15

[19p-D9-12] P/N制御Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス

^○（M1）山田敬久¹，牧原克典¹，鈴木善久¹，池田弥央²，宮崎誠一¹ (名大院工¹，広大院先端研²)

17:15 〜 17:30

[19p-D9-13] 導電性AFM探針による高密度一次元連結Si系量子ドットからの電子放出特性評価 (II)

^○竹内大智¹，牧原克典¹，大田晃生²，池田弥央³，宮崎誠一¹ (名大院工¹，名大VBL²，広大院先端研³)

休憩 17:30〜17:45 (17:30 〜 17:45)

17:45 〜 18:00

[19p-D9-14] パルスレーザーメルティング法を用いて硫黄を過飽和ドープしたＳｉ単結晶の光吸収と電気伝導特性のフルーエンス依存性

^○（M1）長尾克紀¹，稲田貢²，内藤宗幸¹，則村憲吾¹，中井達也¹，青木珠緒¹，杉村陽¹，梅津郁朗¹ (甲南大理工¹，関西大システム理工²)

18:00 〜 18:15

[19p-D9-15] 金属Germanideの相図とGe界面におけるショットキーバリア

^○（DC）飯塚将太，中山隆史 (千葉大理)

18:15 〜 18:30

[19p-D9-16] 第一原理計算によるSn/Ge界面の構造とSBH変調の関係

^○小日向恭祐，中山隆史 (千葉大理)

18:30 〜 18:45

[19p-D9-17] 遷移金属炭化物・窒化物の仕事関数のユニバーサルな推定

^○吉武道子 (物材機構)

18:45 〜 19:00

▲ [19p-D9-18] Effects of Nitrogen Concentration on the Electrical Properties of HfN Gate Insulator Formed by ECR Plasma Sputtering

^oElham Heidari，Sohya Koudoh，Nithi Atthi，Dae-Hee Han，Shun-ichiro Ohmi (Tokyo Institute of Technology)