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分科企画シンポジウム

分科企画シンポジウム » 窒化物半導体特異構造の科学　〜成長・作製と新機能の発現〜

[19p-E13-1~17] 窒化物半導体特異構造の科学　〜成長・作製と新機能の発現〜

2014年3月19日(水) 13:00 〜 19:00 E13 (E301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:00 〜 13:15

[19p-E13-1] オ－プニングトーク～応用電子物性・結晶工学分科会共同企画シンポジウム～（15分）

^○三宅秀人¹，酒井朗² (三重大院工¹，阪大基礎工²)

13:15 〜 13:45

[19p-E13-2] 非平衡状態の能動的利用による窒化物特異構造の創製（30分）

^○藤岡洋^1,2，上野耕平¹，小林篤¹，太田実雄¹ (東大生研¹，JST²)

13:45 〜 14:15

[19p-E13-3] 蛍光SiCの窒化物系白色LEDへの応用に向けた研究（30分）

^○上山智¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，赤崎勇^1,2 (名城大理工¹，名大赤崎記念研²)

14:15 〜 14:30

[19p-E13-4] 前駆体二段階生成HVPE法により作製したInN成長層の特性評価

^○富樫理恵，斉藤広伸，藤田直人，今井亮太，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯 (東京農工大院工)

14:30 〜 14:45

[19p-E13-5] InN 加圧MOVPE 成長における立方晶混入メカニズム

^○寒川義裕^1,2，濱田達郎²，木村健司³，片山竜二³，松岡隆志³，柿本浩一^1,2 (九大応研¹，九大院工²，東北大金研³)

14:45 〜 15:00

△ [19p-E13-6] 高InNモル分率GaInNを用いたトンネル接合

^○（M1）南川大智¹，桑野侑香¹，河合俊介¹，森田隆敏¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤崎勇^1,2 (名城大¹，名大・赤崎記念研究センター²)

15:00 〜 15:15

△ [19p-E13-7] その場観察X線回折法を用いたGaInN/GaN超格子構造の最適化

^○（M1）山本泰司¹，飯田大輔¹，近藤保成¹，曽和美保子¹，梅田慎也¹，松原大幸¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山智¹，赤﨑勇^1,2 (名城大理工¹，名古屋大赤﨑記念研究センター²)

休憩 15:15〜15:30 (15:15 〜 15:30)

15:30 〜 16:00

[19p-E13-8] 近接場分光法による窒化物半導体の再結合機構解明（30分）

^○川上養一，船戸充，金田昭男 (京大院工)

16:00 〜 16:30

[19p-E13-9] 窒化物半導体異種接合の評価と制御（30分）

佐藤威友，赤澤正道，^○橋詰保 (北大)

16:30 〜 16:45

[19p-E13-10] 酸化亜鉛基板上窒化物半導体の格子歪みと偏光特性

^○小林篤¹，玉木啓晶¹，太田実雄¹，藤岡洋^1,2 (東大生研¹，JST-CRSET²)

16:45 〜 17:00

[19p-E13-11] Eu添加GaNにおけるEu発光中心の局所構造に依存したエネルギー輸送

^○若松龍太，李東建，DolfTimmerman，児島貴徳，小泉淳，藤原康文 (阪大院工)

17:00 〜 17:15

[19p-E13-12] AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率Al_xGa_1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価

^○秩父重英¹，石川陽一¹，古澤健太郎¹，田代公則¹，大友友美¹，三宅秀人²，平松和政² (東北大多元研¹，三重大院工²)

休憩 17:15〜17:30 (17:15 〜 17:30)

17:30 〜 17:45

[19p-E13-13] InGaN成長におけるIn取り込みの面方位依存性の理論検討

^○藤村侑，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯 (農工大院工)

17:45 〜 18:00

[19p-E13-14] c面Al₂O₃基板上にMOVPE成長したGaNの異常分散X線回折による極性判定

^○花田貴^1,2，稲葉克彦³，正直花奈子¹，崔正焄¹，片山竜二^1,2，谷川智之^1,2，窪谷茂幸¹，松岡隆志^1,2 (東北大金研¹，JST-CREST²，リガクX線研³)

18:00 〜 18:15

[19p-E13-15] サファイア上AlN緩衝層のN2-COアニールとMOVPE法によるAlN成長

西尾剛¹，鈴木周平¹，^○三宅秀人¹，平松和政¹，福山博之²，徳本有紀³，山田陽一⁴ (三重大院工¹，東北大多元研²，東大生研³，山口大院理工⁴)

18:15 〜 18:30

▲ [19p-E13-16] Crystal domain microstructure analysis of a thick AlN film grown on a trench-patterned AlN/sapphire template by asymmetric X-ray microdiffraction

^○（D）Khan Dinh¹，Shotaro Takeuchi¹，Kunihiko Nakamura¹，TakujiArauchi¹，YoshiakiNakamura¹，HidetoMiyake²，Kazumasu Hiramatsu²，Yasuhiko Imai³，Shigeru Kimura³，Akira Sakai¹ (Osaka University¹，Mie University²，SPring-8³)

18:30 〜 19:00

[19p-E13-17] 窒化物半導体結晶成長の表面反応制御と三次元構造デバイス（30分）

^○天野浩 (名大院工、ARC)