一般セッション(口頭講演)

12．有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.1 作製・構造制御

[19p-E5-1~21] 12.1 作製・構造制御

2014年3月19日(水) 13:15 〜 19:00 E5 (E105)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食 11:45〜13:15 (11:45 〜 13:15)

13:15 〜 13:30

△ [19p-E5-1] ESD法により成膜した液晶配向膜のプレチルト角を考慮した方位角アンカリング強度の評価

^○工藤幸寛，内田裕大，高橋泰樹 (工学院大院工)

13:30 〜 13:45

△ [19p-E5-2] キャパシタ電極材料を指向したハイブリッド粒子の作製と評価

^○早坂泰史¹，堂守佑希²，松田圭吾^2,4，増原陽人^2,3,4 (山形大工¹，山形大院理工²，有機エレ研³，東北創生研⁴)

13:45 〜 14:00

△ [19p-E5-3] 光応答ナノ粒子による屈折率変化保持の改善

^○清水智樹^1,2，藤原隆²，川本益揮²，磯島隆史²，佐々高史²，木下岳司¹，石橋幸治² (慶應大理工¹，理研²)

14:00 〜 14:15

△ [19p-E5-4] バイオミメティック撥気泡表面の管内表面への作製

^○亀井潤²，阿部博弥¹，齊藤裕太²，下村政嗣^3,4，藪浩³ (東北大工¹，東北大院工²，東北大多元研³，東北大WPI⁴)

14:15 〜 14:30

△ [19p-E5-5] 液-液界面集積法を利用した高密度のC₆₀ナノ結晶の単粒子薄膜作製

^○松川拓¹，松井淳²，増原陽人^1,3,4 (山形大院理工¹，山形大理²，有機エレクトロニクス研究センター³，東北創生研⁴)

14:30 〜 14:45

△ [19p-E5-6] 電気泳動デポジション法によるC₆₀ナノ結晶薄膜の作製と膜厚制御

^○佐藤駿実¹，増原陽人^1,2,3 (山形大院理工¹，有機エレクトロニクス研究センター²，東北創生研³)

休憩 14:45〜15:00 (14:45 〜 15:00)

15:00 〜 15:15

△ [19p-E5-7] ガスデポジション法を用いたバルクヘテロ接合膜の結晶サイズ制御

^○（PC）柴田陽生¹，大橋昇^2,1，王植平¹，小金澤智之³，宮寺哲彦^1,4，吉田郵司¹ (産総研・太陽光¹，東北大²，高輝度光科学研究センター³，JSTさきがけ⁴)

15:15 〜 15:30

△ [19p-E5-8] 再沈法におけるC₆₀ナノ結晶サイズ制御因子の解明

^○志藤慶治¹，伊藤直子¹，増原陽人^2,3,4 (山形大¹，山形大院理工²，有機エレクトロニクス研究センター³，東北創生研究所⁴)

15:30 〜 15:45

△ [19p-E5-9] 顔料と磁性体ナノ粒子を相選択的に導入したヤヌス粒子の作製と外部磁場による配向評価

^○大嶋寛之¹，金原雅晃¹，齊藤祐太¹，下村政嗣^2,3，藪浩^3,4 (東北大院工¹，東北大WPI²，東北多元研³，JST さきがけ⁴)

15:45 〜 16:00

△ [19p-E5-10] 高分子ナノシートをテンプレートとしたSiO₂超薄膜の作製

^○山本俊介，園部和輝，三ツ石方也，宮下徳治 (東北大多元研)

16:00 〜 16:15

△ [19p-E5-11] 液晶溶媒を用いた可溶性有機半導体の単結晶成長

^○松崎智也，石鍋隆宏，藤掛英夫 (東北大)

16:15 〜 16:30

△ [19p-E5-12] ESDUS法によるポリマー半導体へのCs2CO3ドーピング

^○林田寿徳¹，藤田克彦² (九州大総理工¹，九州大先導研²)

16:30 〜 16:45

▼ [19p-E5-13] Soluble Organic-Inorganic Metal-Halide Perovskites: Electronic Properties and Device Fabrication

^○GiancarloLorena¹，大崎剛¹，長谷川裕之^2,3，高橋幸裕^1,2,3，原田潤^1,2,3，稲辺保^1,2,3 (北大院総化¹，北大院理²，JST-CREST³)

16:45 〜 17:00

[19p-E5-14] 対向ターゲットスパッタ法を用いた電極形成時に生じる有機デバイスへのダメージの原因解析

^○末森浩司，星野聰，茨木伸樹，鎌田俊英 (産総研)

17:00 〜 17:15

[19p-E5-15] ガスフロー蒸着により形成した高速成膜共蒸着発光層のOLED特性

^○継田浩平^1,5，江面知彦^1,5，柚木脇智⁴，安達千波矢^1,2,3,4 (九大OPERA¹，九大WPI-I2CNER²，九州先端研³，i3-OPERA⁴，東京エレクトロン⁵)

休憩 17:15〜17:30 (17:15 〜 17:30)

17:30 〜 17:45

[19p-E5-16] 光前駆体溶液からのペンタセン光単結晶成長

^○大橋知佳^1,3，山田容子^2,3，中山健一^1,3,4 (山形大院理工¹，奈良先端大物質²，CREST³，有機エレクトロニクス研究センター⁴)

17:45 〜 18:00

[19p-E5-17] 溶液成長下の電場印加によるペンタセン単結晶の位置・配向制御

^○小槻賢志，斉木幸一朗 (東大院理)

18:00 〜 18:15

[19p-E5-18] 誘電泳動法を用いた有機半導体トランジスタの作製

^○村田哲洋¹，根岸良太¹，難波直子^2,3，竹谷純一^2,3，小林慶裕¹ (阪大院工¹，阪大産研²，東大院新領域³)

18:15 〜 18:30

[19p-E5-19] ナノ電解法によるフタロシアニン中性ラジカルナノ単結晶の作製と電⼦特性

^○長谷川裕之^1,2 (北大院理¹，情報通信研未来²)

18:30 〜 18:45

[19p-E5-20] 窒素添加LaB₆界面層によるペンタセンのn型特性に関する検討

^○前田康貴¹，湯澤康介¹，大見俊一郎¹，後藤哲也²，大見忠弘² (東工大総理工¹，東北大未来研²)

18:45 〜 19:00

[19p-E5-21] n型ペンタセンMOSダイオード特性のYb界面層堆積温度依存性

^○湯澤康介，石原宏，大見俊一郎 (東工大総理工)