一般セッション(口頭講演)

06．薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-E8-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2014年3月19日(水) 13:15 〜 18:45 E8 (E202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食 11:45〜13:15 (11:45 〜 13:15)

13:15 〜 13:30

△ [19p-E8-1] スパッタ堆積によるSiO2膜の抵抗遷移の特徴に関する考察

^○山口凜太郎，佐藤伸吾，大村泰久，中村和広 (関西大)

13:30 〜 13:45

[19p-E8-2] スパッタ堆積によるSiO2膜の抵抗遷移に関する考察 –遷移臨界条件-

山口凜太郎，金剛弘卓，^○呂鴻飛，佐藤伸吾，大村泰久，中村和広 (関西大)

13:45 〜 14:00

△ [19p-E8-3] SiC_xO_yを用いた酸化還元反応による抵抗変化型不揮発性メモリ

^○（B）木田恭平，塚本貴広，須田良幸 (東京農工大)

14:00 〜 14:15

△ [19p-E8-4] 放射光を用いた水素イオン移動型ReRAMの界面状態の観察

^○野津武志¹，花田明紘²，三浦寛基¹，岸田悟^1,3，大沢仁志⁴，伊奈稔哲⁴，鈴木基寛⁴，河村直己⁴，水牧仁一郎⁴，宇留賀朋哉⁴，今井康彦⁴，木村滋⁴，木下健太郎^1,3 (鳥取大工¹，鳥取大産学・地域連携推進機構²，TEDREC³，高輝度光科学研究センター⁴)

14:15 〜 14:30

△ [19p-E8-5] 非晶質InGaZnO抵抗変化メモリにおけるフィラメントの観察

^○門圭佑^1.2，上沼睦典^1,2，KritiSharma^1,2，山﨑はるか^1,2，浦川哲^1,2，石河泰明^1,2，浦岡行治^1,2 (奈良先端大¹，CREST²)

14:30 〜 14:45

▼ [19p-E8-6] Analysis of Degradation Mechanism on Bottom Gate Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors with Siloxane Passivation Layer

^○（M1）ChaiyananKulchaisit^1,2，YasuakiIshikawa^1,2，YoshihiroUeoka^1,2，BermundoJuanPaolo^1,2，MasahiroHorita^1,2，YukiharuUraoka^1,2 (奈良先端大¹，科学技術振興機構²)

14:45 〜 15:00

△ [19p-E8-7] PE-ALD法で作製したAl₂O₃絶縁膜を用いたIGZO-TFTの電気特性

^○栗島一徳^1,2，生田目俊秀^2,3，清水麻希²，相川慎也²，塚越一仁²，大井暁彦²，知京豊裕²，小椋厚志¹ (明治大¹，物材機構²，JST-CREST³)

15:00 〜 15:15

△ [19p-E8-8] NiO抵抗変化素子の伝導特性と抵抗状態の差異の新たな解釈

^○岩田達哉，西佑介，篠倉弘樹，木本恒暢 (京大工)

15:15 〜 15:30

[19p-E8-9] 対向ターゲット式反応性スパッタ法によるNiO薄膜の特性評価

^○（M1）古谷靖明¹，河合舞²，野本隆宏²，坪井望^2,3 (新潟大自然研¹，新潟大工²，新潟大超域³)

15:30 〜 15:45

[19p-E8-10] 金属/BaTiO₃/酸化物トンネル接合における強誘電抵抗スイッチング

^○山田浩之^1,2，福地厚¹，豊崎喜精¹，小林正起³，中尾裕則³，堀場弘司³，組頭広志³，石橋章司¹，澤彰仁¹ (産総研¹，JSTさきがけ²，KEK-PF³)

15:45 〜 16:00

[19p-E8-11] Mnナノドットを埋め込んだSiOx膜の抵抗変化特性

^○荒井崇¹，劉冲¹，大田晃生²，牧原克典¹，宮崎誠一¹ (名大院工¹，名大 VBL²)

休憩 16:00〜16:15 (16:00 〜 16:15)

16:15 〜 16:30

[19p-E8-12] 第一原理計算による抵抗変化型メモリの動作機構の研究

^○神谷克政¹，梁文榮²，Magyari-KopeBlanka³，YoshioNishi³，白石賢二⁴ (神奈工大¹，筑波大²，スタンフォード大³，名古屋大⁴)

16:30 〜 16:45

[19p-E8-13] 酸化タンタル膜の抵抗変化スイッチ現象におけるSET時間の起源

^○西義史^1,2，StephanMenzel¹，KarstenFleck¹，UlrichBoettger¹，RainerWaser¹ (アーヘン工大¹，東芝研開セ²)

16:45 〜 17:00

[19p-E8-14] Cu-Ta₂O₅原子スイッチにおけるSET動作の律速過程

^○鶴岡徹^1,2，長谷川剛^1,2，IliaValov³，RainerWaser³，青野正和¹ (物材機構¹，JST-CREST²，アーヘン工科大³)

17:00 〜 17:15

[19p-E8-15] ReRAM向け300mm量産用スパッタ成膜技術の開発

^○福田夏樹，福寿和紀，西岡浩，鄒弘綱 (アルバック半電研)

17:15 〜 17:30

[19p-E8-16] 化学溶液塗布法ペロブスカイト強誘電体薄膜の抵抗メモリ特性

^○渕田紳平，橋本修平，張子洋，山下馨，野田実 (京工繊工芸)

17:30 〜 17:45

[19p-E8-17] β-Ga₂O₃単結晶をチャネルとする電気二重層トランジスタ

^○上野和紀^1,2，一杉太郎^2,3，小山浩司⁴ (東大院総合¹，JSTさきがけ²，東北大WPI-AIMR³，並木精密宝石⁴)

17:45 〜 18:00

[19p-E8-18] 二酸化炭素の電気化学還元への酸化ガリウムの応用

^○関本健之¹，出口正洋¹，四橋聡史¹，山田由佳¹，増井建和²，倉又朗人³，山腰茂伸³ (パナソニック¹，光波²，タムラ製作所³)

18:00 〜 18:15

[19p-E8-19] 機械的な応力印加による単結晶酸化すずの格子欠陥制御

^○櫻井亮¹，PradyotKoley¹，劉可為²，青野正和¹ (物材機構 MANA¹，中国科学院²)

18:15 〜 18:30

[19p-E8-20] 光導波路型電界センサのためのZnO/LiNbO₃/ZnO構造の形成

^○赤沢方省，渡辺俊文，山田浩治，土澤泰，板橋聖一，嶋田勝，福田浩 (NTT MI研)

18:30 〜 18:45

[19p-E8-21] 分光エリプソメトリーによるITOナノ粒子のキャリア密度解析

^○竹之下愛¹，賈軍軍²，米澤岳洋¹，山崎和彦¹，中澤弘実¹，重里有三² (三菱マテリアル¹，青学大理工²)