13:00 〜 13:15

[19p-F9-1] 固液界面近傍の熱応力が育成中Si単結晶の臨界v/G値に与える影響

^○末岡浩治，神山栄治 (岡山県立大情報工)

13:15 〜 13:30

[19p-F9-2] 無欠陥条件Si結晶成長中の熱応力起因によるボイド形成

^○神山栄治，末岡浩治 (岡山県立大)

13:30 〜 13:45

[19p-F9-3] 無欠陥条件Si結晶成長中の熱応力起因ボイド形成と450 mmウェーハ検査

^○神山栄治¹，末岡浩治¹，荒木浩司²，泉妻宏治² (岡山県大¹，グローバルウェーハズ・ジャパン²)

13:45 〜 14:00

[19p-F9-4] Si結晶中の空孔機構による自己拡散の活性化エネルギー

^○末澤正志，飯島嘉明，米永一郎 (東北大金研)

14:00 〜 14:15

[19p-F9-5] シリコン結晶中のドーパントの拡散機構

^○末澤正志，井上海平，飯島嘉明，米永一郎 (東北大金研)

14:15 〜 14:30

[19p-F9-6] シリコン結晶中のボロンによる酸素の増速拡散

^○鳥越和尚，藤瀬淳，小野敏昭，中村浩三 (SUMCO)

休憩 14:30〜14:45 (14:30 〜 14:45)

14:45 〜 15:00

[19p-F9-7] CZシリコンの格子間隔と結晶内酸素濃度の関係

張小威¹，^○阿部孝夫²，藤本弘之³ (KEK¹，SEH²，AIST³)

15:00 〜 15:15

[19p-F9-8] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学（6）照射結晶中のVOとCiOiの挙動

^○井上直久^1,5，後藤安則²，関洋文³，渡邉香⁴，河村裕一⁵ (東京農工大工¹，トヨタ自動車²，東レリサーチ³，システムズ・エンジニアリング⁴，大阪府立大産学官⁵)

15:15 〜 15:30

[19p-F9-9] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学（7）照射結晶中のdark matterとUFOの検出-赤外欠陥天文学

^○井上直久^1,5，後藤安則²，関洋文³，渡邉香⁴，河村裕一⁵ (東京農工大工¹，トヨタ自動車²，東レリサーチ³，システムズ・エンジニアリング⁴，大阪府立大産学官⁵)

15:30 〜 15:45

[19p-F9-10] 炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング（1）-遷移金属に対するゲッタリング効果-

^○栗田一成，門野武，奥山亮輔，岩永卓郎，古賀祥泰，奥田秀彦 (ＳＵＭＣＯ)

15:45 〜 16:00

△ [19p-F9-11] 炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング(2) -照射欠陥形成におけるドーズ量、サイズ依存性-

^○奥山亮輔，門野武，岩永卓朗，古賀祥泰，奥田秀彦，栗田一成 (ＳＵＭＣＯ)

16:00 〜 16:15

△ [19p-F9-12] 炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング（3）-p/p+エピウェーハでの遷移金属に対するゲッタリング効果-

^○岩永卓朗，門野武，奥山亮輔，古賀祥泰，奥田秀彦，栗田一成 (SUMCO)

休憩 16:15〜16:30 (16:15 〜 16:30)

16:30 〜 16:45

[19p-F9-13] 軽元素イオン注入によるSiウェーハ中の遷移金属に対する近接ゲッタリング効果

^○古賀祥泰，栗田一成，奥田秀彦，門野武，奥山亮輔，岩永卓郎 (SUMCO)

16:45 〜 17:00

[19p-F9-14] 電子線照射で生成する欠陥の回復温度に対する不純物の影響

^○清井明¹，田中政幸¹，川上剛¹，鶴田明三¹，谷村純二¹，湊忠玄²，多留谷政良²，高野和豊³ (三菱電機先端技術総合研究所¹，三菱電機パワーデバイス製作所²，メルコセミコンダクタエンジニアリング³)

17:00 〜 17:15

[19p-F9-15] パワーデバイス用結晶の評価（Ⅰ）パワーデバイス用Siウエハの300mm化に関する1考察

^○山本秀和 (千葉工大工)

17:15 〜 17:30

[19p-F9-16] 種々のSbドープSiGeエピタキシャル膜中の転位運動

^○牧慎也¹，伏見竜也²，山下善文²，大野裕³，米永一郎³，西川亘²，林靖彦² (岡山大工¹，岡山大院自然²，東北大金研³)

17:30 〜 17:45

△ [19p-F9-17] Ge単結晶中の格子欠陥へのSnの効果

^○竹内和歌奈，田岡紀之，坂下満男，中塚理，財満鎭明 (名大院工)

セッション情報

[19p-F9-1~17] 15.8 結晶評価，不純物，結晶欠陥