一般セッション(口頭講演)

17．ナノカーボン » 17.4 デバイス応用

[20a-E2-1~12] 17.4 デバイス応用

2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:15 E2 (E102)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[20a-E2-1] 電気化学的手法で合成したグラフェン単片と塗膜の導電性比較

^○武誠司¹，谷遼太郎¹，桐原和大^1,2，長谷川雅考^1,3 (技組ＴＡＳＣ¹，産総研ナノシステム²，産総研ナノチューブ³)

09:15 〜 09:30

△ [20a-E2-2] 超高速グラフェン黒体放射発光素子

^○横井智哉¹，高山雄介¹，津谷大樹²，牧英之¹ (慶大理工¹，物材機構²)

09:30 〜 09:45

[20a-E2-3] グラフェン積層接合の電気特性

^○（M2）茶谷洋光¹，奥村俊夫¹，伊澤輝記¹，井口宗明¹，中島健志¹，小林慶祐¹，呉龍錫¹，前田文彦²，日比野浩樹²，永瀬雅夫¹，有月琢哉¹，松本卓也¹ (徳島大工¹，NTT物性基礎研²)

09:45 〜 10:00

△ [20a-E2-4] 金属/MoS₂/グラフェン縦型FET構造における巨大抵抗変調

^○山口健洋¹，井上義久¹，増渕覚^1,2，守谷頼¹，町田友樹^1,2 (東大生産研¹，東大ナノ量子機構²)

10:00 〜 10:15

△ [20a-E2-5] グラフェン抵抗変化型メモリの3端子動作に関する研究

^○新留彩^1,2，高橋綱己²，小田俊理³，内田建^1,2 (東工大院理工電子物理¹，慶大理工電子工²，東工大量子ナノ研セ³)

休憩 10:15〜10:30 (10:15 〜 10:30)

10:30 〜 10:45

[20a-E2-6] CVD成長多層グラフェンの20nm幅細線の作製と評価

^○中野美尚，周波，井亜希子，近藤大雄，林賢二郎，高橋慎，八木克典，佐藤信太郎，横山直樹 (産総研)

10:45 〜 11:00

[20a-E2-7] 二層グラフェンを用いた単電子トランジスタの特性評価

^○岩崎拓哉¹，ムルガナタンマノハラン¹，水田博^1,2 (北陸先端大¹，サザンプトン大²)

11:00 〜 11:15

[20a-E2-8] グラフェンナノリボンにおけるCO₂分子センシングの微視的メカニズム

^○今村知典¹，ムルガナタンマノハラン¹，水田博^1,2 (北陸先端大¹，サザンプトン大²)

11:15 〜 11:30

△ [20a-E2-9] SiO₂/Si上グラフェンナノリボンの大規模第一原理電子伝導計算

^○實宝秀幸¹，尾崎泰助²，大淵真理¹ (富士通研¹，北陸先端大²)

11:30 〜 11:45

△ [20a-E2-10] 横型フッ化グラフェン－グラフェンヘテロ構造の作製

^○成木航，田原康佐，岩崎孝之，古山聡子，松谷晃宏，波多野睦子 (東工大)

11:45 〜 12:00

[20a-E2-11] 電着法による炭素材料へのPt-Ru金属ナノ粒子の担持およびメタノール酸化活性評価

^○吉竹晴彦¹，早瀬勝平²，王志朋³，緒方啓典^1,2 (法政大生命科¹，法政大院理工²，信州大³)

12:00 〜 12:15

[20a-E2-12] プラズマCVD法で合成したグラフェン膜を用いた高分子有機EL素子の作製

^○沖川侑揮，水谷亘，鈴木堅吉，石原正統，長谷川雅考 (産総研)