[20a-F12-1~13] 13.4 デバイス/集積化技術

2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:30 F12 (F408)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:00 〜 09:15

[20a-F12-1] 高誘電率Al2O3ブロック絶縁膜を用いたチャージトラップ型FinFETフラッシュメモリの作製及び電気特性評価

^○柳永勛¹，生田部俊秀²，松川貴¹，遠藤和彦¹，大内真一¹，塚田順一¹，山内洋美¹，石川由紀¹，水林亘¹，森田行則¹，右田真司¹，太田裕之¹，知京豊裕²，昌原明植¹ (産総研¹，物材研²)

09:15 〜 09:30

^○（M1）土井雅史¹，田中丸周平^1,2，竹内健¹ (中大理工¹，東大工²)

09:30 〜 09:45

^○（B）徳冨司¹，田中丸周平^1,2，竹内健¹ (中大理工¹，東大工²)

09:45 〜 10:00

^○廣井孝弘¹，中根明俊¹，藤本天¹，有田正志¹，高橋庸夫¹，安藤秀幸²，森江隆² (北大院情報¹，九工大生命体工²)

10:00 〜 10:15

^○中根明俊¹，廣井孝弘¹，有田正志¹，高橋庸夫¹，安藤秀幸²，森江隆² (北大院情報¹，九工大²)

10:15 〜 10:30

^○高橋謙仁，大野裕輝，中根明俊，工藤昌輝，浜田弘一，有田正志，高橋庸夫 (北大院情報)

10:30 〜 10:45

^○工藤昌輝¹，大野裕輝¹，廣井孝弘¹，藤本天²，浜田弘一¹，有田正志¹，高橋庸夫¹ (北大院情報¹，北大工²)

休憩 10:45〜11:00 (10:45 〜 11:00)

11:00 〜 11:15

^○SheyangNing^1,2，OguraTomokoIwasaki¹，KenTakeuchi¹ (中大理工¹，東大工²)

11:15 〜 11:30

^○SheyangNing^1,2，OguraTomokoIwasaki¹，KenTakeuchi¹ (中大理工¹，東大工²)

11:30 〜 11:45

^○（B）山沢裕紀¹，田中丸周平^1,2，竹内健¹ (中大理工¹，東大工²)

11:45 〜 12:00

^○財津光一郎，辰村光介，小田聖翔，安田心一 (東芝)

12:00 〜 12:15

^○岡本浩一郎，多田宗弘，伴野直樹，阪本利司，井口憲幸，野久竜彦，波田博光 (ＬＥＡＰ)

12:15 〜 12:30

^○伴野直樹，多田宗弘，阪本利司，宮村信，岡本浩一郎，井口憲幸，野久竜彦，波田博光 (LEAP)