[17a-E11-1~5] 15.7 エピタキシーの基礎

[17a-E11-3] SiC基板上での初期のグラフェン成長に対する第一原理分子動力学シミュレーション

^○小野裕己¹，奈良純¹，大野隆央^1,2 (物材機構¹，東大生研²)

キーワード：グラフェン成長,第一原理分子動力学シミュレーション