[17a-E11-1~5] 15.7 エピタキシーの基礎

[17a-E11-4] Si(111)-(4×1)-In表面上に成長したInAsエピタキシャル膜の界面構造

^○仲田侑加^1,2，佐々木拓生²，出来亮太¹，高橋正光^1,2 (兵庫県立大¹，原子力機構²)

キーワード：InAs,界面構造,放射光X線回折