2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.7 エピタキシーの基礎

[17a-E11-1~5] 15.7 エピタキシーの基礎

2014年3月17日(月) 09:00 〜 10:15 E11 (E205)

10:00 〜 10:15

[17a-E11-5] STMBE法によるGaAs(001)上InAs3D島構造成長その場観察

○東條孝志1,2，山口浩一2，塚本史郎1 (阿南高専1，電通大2)

キーワード：半導体