[17a-E11-6~10] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[17a-E11-7] InAs薄膜を用いたGaAs(111)A面上格子緩和InGaAsの成長

^○間野高明¹，ヌルハ^1,2，三石和貴¹，黒田隆^1,2，大竹晃浩¹，AndreaCastellano^1,3，StefanoSanguinetti³，野田武司¹，佐久間芳樹¹，迫田和彰¹ (物材機構¹，九大²，ミラノビコッカ大³)

キーワード：分子線エピタキシー,InGaAs,格子緩和