10:08 〜 10:10
[17a-E7-5] ハーフホイスラーLaPtBi薄膜のC1規則度が電子状態に与える影響
キーワード:ハーフホイスラー,トポロジカル絶縁体
一般セッション(ショート付きポスター講演)
10.スピントロニクス・マグネティクス » 10.1 新物質創成(酸化物・ホイスラー・金属磁性体等)
2014年3月17日(月) 10:00 〜 10:26 E7 (E201)
ポスター講演 1:30PM~3:30PM PA(アリーナ)
10:08 〜 10:10
キーワード:ハーフホイスラー,トポロジカル絶縁体