[17a-F4-1~11] 7.6 イオンビーム一般

[17a-F4-3] イオンビーム照射成膜によるc軸垂直配向希土類GaN薄膜の形成

^○鈴木雅視，柳谷隆彦 (名工大)

キーワード：圧電,GaN薄膜,イオンビームアシスト成膜法