PDF ダウンロード スケジュール 19 いいね! 1 09:30 〜 11:30 [17a-PG3-10] SiCトレンチMOSFETの移動度解析 ○朽木克博1,河路佐智子1,渡辺行彦1,宮原真一朗2,斎藤順3 (豊田中研1,デンソー2,トヨタ自動車3) キーワード:炭化ケイ素,移動度,電界効果トランジスタ