[17p-E10-1~10] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[17p-E10-4] PLD法による無添加n型SnO薄膜の作製と電気伝導性

^○（P）林博之¹，片山翔太²，大場史康²，田中功² (京大低温¹，京大工²)

キーワード：SnO,両極性酸化物,パルスレーザー堆積