[17p-E10-1~10] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[17p-E10-5] ミストCVD法によるSnO_x薄膜の作製とその特性

^○内田貴之¹，川原村敏幸²，藤田静雄¹ (京大院工¹，高知工大 ナノ研²)

キーワード：酸化スズ,ミストCVD