[17p-E10-1~10] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[17p-E10-7] 新規酸化物半導体材料の探索；ウルツ鉱型I-III-O₂化合物半導体

^○小俣孝久¹，鈴木一誓¹，長谷拓¹，喜多正雄² (阪大院工¹，富山高専²)

キーワード：酸化物半導体,バンドエンジニアリング,ウルツ鉱型酸化物