[17p-E11-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

▲ [17p-E11-12] MOCVD法によるGe/Si上InAs/GaAs量子ドットの発光特性におけるAlGaAs/GaAsバッファ層のアニール効果

^○（PC）Rajesh Mohan¹，三浦真^2,3，西岡政雄¹，荒川泰彦¹ (東大ナノ量子機構¹，PETRA²，PECST³)

キーワード：MOCVD,Quantum Dots,Ge/Si substrate