[17p-E11-1~15] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[17p-E11-5] 近接積層InAs/GaAs量子ドットのサブスレッショルド偏光利得特性

^○安達貴哉，諏訪雅也，松村拓哉，大橋知幸，喜多隆 (神戸大院工)

キーワード：半導体光増幅器,量子ドット