2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-E13-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年3月17日(月) 13:00 〜 18:00 E13 (E301)

17:00 〜 17:15

△ [17p-E13-15] MOCVD選択成長による高品質InGaNナノワイヤ量子ドットの形成

○チェギヒョン1，有田宗貴1，荒川泰彦1,2 (東大ナノ量子機構1，東大生研2)

キーワード：ナノワイヤ量子ドット