2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-E13-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

2014年3月17日(月) 13:00 〜 18:00 E13 (E301)

17:15 〜 17:30

[17p-E13-16] MOCVDによるGaN/AlxGa1-xN(x < 0.25)界面ゆらぎ量子ドットの形成

有田宗貴1,壹岐太一2,加古敏2,荒川泰彦1,2 (東大ナノ量子機構1,東大生産研2)

キーワード:量子ドット