[17p-E13-1~18] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-E13-16] MOCVDによるGaN/Al_xGa_1-xN(x < 0.25)界面ゆらぎ量子ドットの形成

^○有田宗貴¹，壹岐太一²，加古敏²，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生産研²)

キーワード：量子ドット