[17p-PG2-1~23] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[17p-PG2-3] メモリ層の作製にめっき法を用いたPt/NiOx/Pt-ReRAMの特性評価

^○村山直寛¹，吉原幹貴¹，緒方涼介¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

キーワード：ReRAM,NiO,めっき